Отправить статью по E-mail 
Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А
- Авторы: Климов Е.А.1,2, Клочков А.Н.3, Пушкарёв С.С.1
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- АО “НПО Орион”
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
- Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
- Страницы: 133-140
- Раздел: РОСТ КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://rjsvd.com/0023-4761/article/view/686189
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476125010184
- EDN: https://elibrary.ru/IRMOQG
- ID: 686189
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Аннотация
Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In0.1Ga0.9As/GaAs} × × 10 и {In0.2Ga0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).
Полный текст
Об авторах
Е. А. Климов
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; АО “НПО Орион”
Автор, ответственный за переписку.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва; Москва
А. Н. Клочков
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва
С. С. Пушкарёв
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203
- Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.
- Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004
- Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001
- Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001
- Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901
- Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002
- Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36
- Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
- Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.
- Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666
- Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049
- Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
- Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287
Дополнительные файлы
