Пороговые значения параметров электронного облучения стекла, приводящего к электростатическим разрядам

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены экспериментальные данные о минимальных значениях энергий и плотностей потоков электронов, воздействие которых на покровные стекла солнечных батарей и отражающие элементы терморадиаторов искусственных спутников Земли приводит к электростатическим разрядам. Установлено, что добавление протонов в состав воздействующего на исследованные образцы потока частиц подавляет развитие разрядов. Для качественной интерпретации полученных результатов предложена математическая модель.

Об авторах

Р. Х. Хасаншин

Акционерное общество “Композит”; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет)”

Автор, ответственный за переписку.
Email: rhkhas@mail.ru
Россия, Королев; Москва

Д. В. Уваров

Акционерное общество “Композит”

Email: rhkhas@mail.ru
Россия, Королев

Список литературы

  1. Ferguson D.C., Wimberly S.C. // Proc. 50th AIAA Aerospace Sci. Mtg. (Nashville, 2013) Art. No. 0810.
  2. Новиков Л.С. Модель космоса. Научно-информационное издание. Т. 2. М.: КДУ, 2007. 1144 с.
  3. Kazuhiro Toyoda, Teppei Okumura, Satoshi Hosoda, Mengu Cho // J. Spacecr. Rockets. 2005. V. 42. No. 5. P. 947.
  4. Хасаншин Р.Х., Применко Д.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 5. С. 633; Khasanshin R.H., Primenko D.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 5. P. 526.
  5. Kadono K., Itakura N., Akai T. et al. // J. Phys. Cond. Matter. 2010. V. 22. No. 4. Art. No. 045901.
  6. Бреховских С.М., Викторова Ю.Н., Ланда Л.М. Радиационные эффекты в стеклах. М.: Энергоиздат, 1982. 182 с.
  7. Fu X., Song L., Jiacheng, Li J. // J. Rare Earths. 2014. V. 32. No. 11. P. 1037.
  8. Kreidl N., Hensler J. // J. Amer. Ceram. Soc. 2006. V. 38. P. 423.
  9. Roussel J.-F., Alet I., Faye D., Pereira A. // J. Spacecraft. Rockets. 2004. V. 41. No. 5. P. 812.
  10. Zhao Xiaohu, Shen Zhigang, Xing Yushan, Ma Shulin // J. Acta Aeronaut. Astronaut. Sci. 2009. V. 30. No. 1. P. 159.
  11. Хасаншин Р.Х., Новиков Л.С. // Персп. матер. 2021. № 10. С. 5; Khasanshin R.H., Novikov L.S. // Inorg. Mater. Appl. Res. 2022. V. 13. No. 2. P. 326.
  12. Fakhfakh S., Jbara O., Belhaj M. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. Art. No. 093704.
  13. Hanna R., Paulmier T., Belhaj M., et al. // J. Physics D. 2011. V. 44. Art. No. 445402.
  14. Guerch K., Paulmier T., Guillemet-Fritsch S., Lenormand P. // Nucl. Instr. Meth. B. 2015. V. 349. P. 147.
  15. Miyake H., Tanaka Y., Takada T., Liu R. // IEEE Trans. Dielec. Elect. Insul. 2007. V. 14. No. 2. P. 520.
  16. Khasanshin R.H., Novikov L.S. // Adv. Space Res. 2016. V. 57. P. 2187.
  17. Koons C., Mazur J.E., Selesnick R.S. et al.// Proc. 6th Spacecraft Charging Technol. Conf. (Hanscom, 1998). P. 7.
  18. Ollier N., Rizza G., Boizot B., Petite G. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. Art. No. 073511.
  19. Ollier N., Boizot B., Reynard B., et al. // J. Nucl. Mater. 2005. V. 340. P. 209.
  20. Хасаншин Р.Х. Новиков Л.С. // Персп. матер. 2020. № 11. С. 5; Khasanshin R.H., Novikov L.S. // Inorg. Mater. Appl. Res. 2021. V. 12. No. 2. P. 313
  21. Boizot B., Petite G., Ghaleb D. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 2000. V. 166–167. P. 500.
  22. Boizot B., Petite G., Ghaleb D., Calas G. // J. Non-Cryst. Solids. 2001. V. 283. P. 179.
  23. Хасаншин Р.Х., Новиков Л.С., Гаценко Л.С., Волкова Я.Б. // Персп. матер. 2015. № 1. С. 22; Khasanshin R.H., Novikov L.S., Gatsenko L.S., Volkova Ya.B. // Inorg. Mater. Appl. Res. 2015. V. 6. No. 5. P. 438.
  24. Хасаншин Р.Х., Новиков Л.С. // Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтрон. исслед.2018. № 11. С. 48; Khasanshin R.H., Novikov L.S. // J. Surf. Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2018. V. 12. No. 6. P. 1088.
  25. Свечкин В.П., Савельев А.А., Соколова С.П., Бороздина О.В. // Космич. техн. и технологии. 2017. № 2. С. 99; Svechkin V.P., Savelyev A.A., Sokolova S.P., Borozdina O.V. // Space Tech. Technol. 2017. No. 2. P. 99.
  26. Хасаншин Р.Х., Новиков Л.С. // Персп. матер. 2023. № 1. С. 19; Khasanshin R.H., Novikov L.S. // Inorg. Mater. Appl. Res. 2023, V. 14. No. 5. P. 1207.
  27. Hai-Bo Z., Wei-Qin L., Meng C. // Chin. Phys. Lett. 2012. V. 29. No. 4. Art. No. 047901.
  28. Li W.-Q., Zhang H.-B. // Appl. Surf. Sci. 2010. V. 256. No. 11. P. 3482.
  29. Zhang H.-B., Li W.-Q., Cao M. // J. Electron Microsc. 2012. V. 61. P. 85.
  30. Raftari B., Budko N.V., Vuik C. // J. Appl Phys. 2015. V. 118. P. 204101.
  31. Markowich P.A., Ringhofer C., Schmeiser C. Semiconductor equations. N.Y.: Springer-Verlag Inc., 1990.
  32. Ильин В.П. Численные методы решения задач электрофизики. М.: Наука, 1985. 333 с.
  33. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 7. С. 1043; Mikheev N.N., Stepovich M.A., Shirokova E.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2010. V. 74. No. 7. P. 1002.
  34. Михеев Н.Н., Степович М.А., Широкова Е.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2012. Т. 76. № 9. С. 1086; Mikheev N.N., Stepovich M.A., Shirokova E.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2012. V. 76. No. 9. P. 974.
  35. Желтоножская М.В., Лыкова Е.Н., Черняев А.П., Яценко В.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 7. С. 1003; Zheltonozhskaya M.V., Lykova E.N., Iatsenko V.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No.7. P. 915.
  36. Валиев Д.Т., Степанов С.А., Yao G., Zhou Y. // ФТТ. 2019. Т. 61. № 10. С. 1879; Valiev D.T., Stepanov S.A., Yao G., Zhou Y. // Phys. Solid State. 2019. V. 61. No. 10. P. 1835.
  37. Nguyen H.-D., Wulfkühler J.-P., Tajmar M. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2023. V. 41. No. 3. Art. No. 034203.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024