Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe3 и HoTe3

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Выполнены измерения электронного транспорта, в том числе динамических свойств волны зарядовой плотности в квазидвумерном соединении HoTe3. Обнаружены и изучены эффекты медленной релаксации неравновесного состояния волны зарядовой плотности при изотермической выдержке в режиме нулевого тока, наблюдаемые ранее в TbTe3. Значительное увеличение времени выдержки позволило наглядно продемонстрировать, что релаксационные зависимости имеют логарифмический вид; изучены особенности релаксации в разных температурных и временных диапазонах. Полученные данные указывают на стекольное поведение системы центров пиннинга волны зарядовой плотности в трителлуридах редкоземельных атомов.

Об авторах

А. В Фролов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Email: fralek@mail.ru
125009, г. Москва, Россия

А. П Орлов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Email: fralek@mail.ru
125009, г. Москва, Россия; 115487, г. Москва, Россия

Д. М Воропаев

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН;Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский институт)

Email: fralek@mail.ru
125009, г. Москва, Россия; 141701, г. Долгопрудный, Московская область, Россия

А. Хадж-аззем

Университет Гренобль-Альпы

Email: fralek@mail.ru
38042, Гренобль, Франция

А. А Синченко

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Email: fralek@mail.ru
125009, г. Москва, Россия

П. Монсо

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: fralek@mail.ru
125009, г. Москва, Россия

Список литературы

  1. G. Gru�ner, Rev. Mod. Phys. 60, 1129 (1988).
  2. P. Monceau, Adv. Phys. 61, 325 (2012).
  3. X. Zhu, Y. Cao, J. Zhang, E. W. Plummer, and J. Guo, Proceedings of the National Academy of Sciences 112, 2367 (2015).
  4. D. A. Zocco, J. J. Hamlin, K. Grube, J.-H. Chu, H.-H. Kuo, I. R. Fisher, and M. B. Maple, Phys. Rev. B 91, 205114 (2015).
  5. J. J. Hamlin, D. A. Zocco, T. A. Sayles, M. B. Maple, J. H. Chu, and I. R. Fisher, Phys. Rev. Lett. 102, 177002 (2009).
  6. E. DiMasi, M. C. Aronson, J. F. Mans eld, B. Foran, and S. Lee, Phys. Rev. B 52, 14516 (1995).
  7. N.Ru, C. L. Condron, G. Y. Margulis, K. Y. Shin, J. Laverock, S. B. Dugdale, M. F. Toney, and I. R. Fisher, Phys. Rev. B 77, 035114 (2008).
  8. Y. Iyeiri, T. Okumura, C. Michioka, and K. Suzuki, Phys. Rev. B 67, 144417 (2003).
  9. N.Ru, J.-H. Chu, and I. R. Fisher, Phys. Rev. B 78, 012410 (2008).
  10. E. A. Nowadnick, S. Johnston, B. Moritz, R. T. Scalettar, and T. P. Devereaux, Phys. Rev. Lett. 109, 246404 (2012).
  11. B. F. Hu, B. Cheng, R. H. Yuan, T. Dong, and N. L. Wang, Phys. Rev. B 90, 085105 (2014).
  12. A. A. Sinchenko, P. Lejay, and P. Monceau, Phys. Rev. B 85, 241104 (2012).
  13. A. Sinchenko, P. Lejay, O. Leynaud, and P. Monceau, Solid State Commun. 188, 67 (2014).
  14. A. A. Sinchenko, P. Lejay, O. Leynaud, and P. Monceau, Phys. Rev. B 93, 235141 (2016).
  15. A. V. Frolov, A. P. Orlov, A. A. Sinchenko, and P. Monceau, JETP Lett. 109, 203 (2019).
  16. A. V. Frolov, A. P. Orlov, A. Hadj-Azzem, P. Lejay, A. A. Sinchenko, and P. Monceau, Phys. Rev. B 101, 155144 (2020).
  17. A. V. Frolov, A. P. Orlov, D. M. Voropaev, A. Hadj-Azzem, A. A. Sinchenko, and P. Monceau, Appl. Phys. Lett. 118, 253102 (2021).
  18. A. Frolov, A. Orlov, D. Voropaev, V. Shakhunov, A. Sinchenko, and P. Monceau, in 2021 IEEE International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale (3M-NANO), Xi'an, China, IEEE (2021), p. 457.
  19. A. Banerjee, Y. Feng, D. M. Silevitch, J. Wang, J. C. Lang, H.-H. Kuo, I. R. Fisher, and T. F. Rosenbaum, Phys. Rev. B 87, 155131 (2013).
  20. A. V. Frolov, A. P. Orlov, P. D. Grigoriev, V. N. Zverev, A. A. Sinchenko, and P. Monceau, JETP Lett. 107, 488 (2018).
  21. V. E. Minakova, A. M. Nikitina, and S. V. Zaitsev-Zotov, JETP Lett. 110, 62 (2019).
  22. V. E. Minakova, A. M. Nikitina, and S. V. Zaitsev-Zotov, JETP Lett. 112, 346 (2020).
  23. M. D. Ediger, C. A. Angell, and S. R. Nagel, J. Phys. Chem. 100, 13200 (1996).
  24. K. Binder and A. P. Young, Rev. Mod. Phys. 58, 801 (1986).
  25. A. Vaknin, Z. Ovadyahu, and M. Pollak, Phys. Rev. Lett. 84, 3402 (2000).
  26. E. B. Brauns, M. L. Madaras, R. S. Coleman, C. J. Murphy, and M. A. Berg, Phys. Rev. Lett. 88, 158101 (2002).
  27. K. Bu�ntemeyer, H. Lu�then, and M. B�ottger, Planta 204, 515 (1998).
  28. G. Buzs'aki and K. Mizuseki, Nat. Rev. Neurosci. 15, 264 (2014).
  29. V. S. Dotsenko, Phys.-Uspekhi 36, 455 (1993).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2023