Email this article 
Obratimyy topologicheski ekvivalentnyy perekhod v khiral'nom zhidkom kristalle s otritsatel'noy dielektricheskoy anizotropiey
- Authors: Simdyankin I.V1, Geyvandov A.R1, Palto S.P1
-
Affiliations:
- Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ Курчатовский институт
- Issue: Vol 120, No 9-10 (2024)
- Pages: 690-693
- Section: Articles
- URL: https://rjsvd.com/0370-274X/article/view/664465
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24110063
- EDN: https://elibrary.ru/AWGCDT
- ID: 664465
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
В слое хирального жидкого кристалла с отрицательной диэлектрической анизотропией и толщиной d, соответствующей второй зоне Гранжана (3p0/4 < d < 5p0/4, где p0 – естественный шаг спирали), под действием планарного электрического поля происходит ориентационный переход из основного состояния, закрученного на угол 2π в топологически эквивалентное раскрученное состояние (0-состояние). Хотя 0-состояние является метастабильным и долгоживущим, оно может быть быстро переведено обратно в 2π-состояние импульсом электрического поля сравнительно малой амплитуды. Если прямой переход в 0-состояние обусловлен взаимодействием электрического поля с отрицательной диэлектрической анизотропией, то быстрый обратный переход связывается нами с флексоэлектрическим взаимодействием.
About the authors
I. V Simdyankin
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ Курчатовский институтМосква, Россия
A. R Geyvandov
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ Курчатовский институт
Email: ageivandov@yandex.ru
Москва, Россия
S. P Palto
Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ Курчатовский институтМосква, Россия
References
- H. Coles and S. Morris, Nat. Photonics 4, 676 (2010); https://doi.org/10.1038/nphoton.2010.184.
- J. Ortega, C. L. Folcia, and J. Etxebarria, Liq. Cryst. 49, 427 (2022); https://doi.org/10.1080/02678292.2021.1974584.
- П.В. Долганов, К.Д. Бакланова, В.К. Долганов, ЖЭТФ 157(5), 936 (2020).
- S.P. Palto, Crystals 9, 469 (2019); https://doi.org/10.3390/cryst9090469.
- S.P. Palto, D.O. Rybakov, B.A. Umanskii, and N.M. Shtykov, Crystals 13(1), 10 (2022); https://doi.org/10.3390/cryst13010010.
- C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Solid State Commun. 17(9), 1077 (1975).
- C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46(9), 3738 (1975).
- D.W. Berreman and W.R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37(1), 109 (1980).
- С.П. Палто, М.И. Барник, ЖЭТФ 127(1), 220 (2005).
- С.П. Палто, М.И. Барник, ЖЭТФ 129(6), 1132 (2006).
Supplementary files
