Effects of quantum recoil forces in resistive switching in memristors

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Sobre autores

O. Kharlanov

Lomonosov Moscow State University

Autor responsável pela correspondência
Email: letters@kapitza.ras.ru

Bibliografia

  1. L. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971).
  2. D. Ielmini and H.-S. P. Wong, IEEE Nanotechnol. Mag. 1, 333 (2018).
  3. Z. Wang, H. Wu, G. W. Burr, C. S. Hwang, K. L. Wang, Q. Xia, and J. J. Yang, Nat. Rev. Mater. 5, 173 (2020).
  4. R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957).
  5. W. Xue, S. Gao, J. Shang, X. Yi, G. Liu, and R. Li, Adv. Electron. Mater. 5, 1800854 (2019).
  6. A. A. Minnekhanov, B. S. Shvetsov, M. M. Martyshov, K. E. Nikiruy, E. V. Kukueva, M. Yu. Presnyakov, P. A. Forsh, V. V. Rylkov, V. V. Erokhin, V. A. Demin, and A. V. Emelyanov, Org. Electron. 74, 89 (2019).
  7. D. Dundas, E. J. McEniry, and T. N. Todorov, Nat. Nanotechnol. 4, 99 (2009).
  8. O. G. Kharlanov, B. S. Shvetsov, V. V. Rylkov, and A. A. Minnekhanov, Phys. Rev. Applied 17, 054035 (2022).
  9. V.-N. Do, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 5, 033001 (2014).
  10. R. E. Peierls, Quantum Theory of Solids, Oxford University Press, London (1955).
  11. H. W. Sheng, M. J. Kramer, A. Cadien, T. Fujita, and M. W. Chen, Phys. Rev. B 83, 134118 (2011).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2023