Отправить статью по E-mail 
Влияние мольного отношения Sr:Bi:Ta в пленках танталата висмута-стронция SryBi2+xTa2O9 на структуру и электрофизические свойства
- Авторы: Киселев Д.А.1,2, Куртева Е.А.2, Семченко А.В.3, Бойко А.А.4, Судник Л.В.5, Чучева Г.В.1
-
Учреждения:
- Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
- Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого
- Институт порошковой металлургии имени академика О.В. Романа, Научно-исследовательский институт импульсных процессов с опытным производством
- Выпуск: Том 88, № 5 (2024)
- Страницы: 728-733
- Раздел: Физика сегнетоэлектриков
- URL: https://rjsvd.com/0367-6765/article/view/654677
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050064
- EDN: https://elibrary.ru/OXNQID
- ID: 654677
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Золь-гель методом получены поликристаллические тонкие пленки танталата висмута-стронция SryBi2+xTa2O9 с различным мольным отношением Sr:Bi:Ta. Установлено формирование фазы со структурой перовскита. Фазовые переходы подтверждены методом диэлектрической спектроскопии. В режиме спектроскопии переключения поляризации получены остаточные петли пьезоэлектрического гистерезиса, подтверждающие сегнетоэлектрическую природу синтезированных пленок SryBi2+xTa2O9.
Об авторах
Д. А. Киселев
Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Фрязино; Москва
Е. А. Куртева
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Москва
А. В. Семченко
Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Белоруссия, Гомель
А. А. Бойко
Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Белоруссия, Гомель
Л. В. Судник
Институт порошковой металлургии имени академика О.В. Романа, Научно-исследовательский институт импульсных процессов с опытным производством
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Минск
Г. В. Чучева
Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»
Автор, ответственный за переписку.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Фрязино
Список литературы
- Muralt P., Polcawich R.G., Trolier-McKinstry S. // MRS Bulletin. 2009. V. 34. P. 658.
- Qiu Y., Gigliotti J.V., Wallace M. et al. // Sensors. 2015. V. 15. No. 4. P. 8020.
- Aabid A., Raheman M.A., Ibrahim Y.E. et al. // Sensors. 2021. V. 21. No. 2. P. 4145.
- Abdullaev D.A., Milovanov R.A., Volkov R.L. et al. // Russ. Technol. J. 2020. V. 8. No. 5. P. 44.
- Попов В.П., Антонов В.А., Тихоненко Ф.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 867; Popov V.P., Antonov V.A., Tikhonenko F.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No 6. P. 760.
- Li S., Wang Y., Yang M. et al. // Mater. Adv. 2022. V. 3. No. 14. P. 5735.
- Semchenko A.V., Ayvazyan G.Y., Malyutina-Bronskaya V.V. et. al. // Photonics. 2023. V. 10. P. 845.
- Semchenko A.V., Sidsky V.V. et. al. // Materials. 2021. V. 14. P. 1694.
- Bian J., Xue P., Zhu R. et al. // Appl. Mater. Today. 2020. V. 21. Art. No. 100789.
- Zanetti S.M., Bueno P.R., Leite E. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 6. P. 3416.
Дополнительные файлы
