IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.

Sobre autores

T. Zalyalov

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университет

Email: timz@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

D. Islamov

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Bibliografia

  1. D. Bondurant, Ferroelectrics 112, 273 (1990).
  2. T. S. B¨oscke, J. M¨uller, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).
  3. T. S. B¨oscke, S. Teichert, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112904 (2011).
  4. X. Sang, E.D. Grimley, T. Schenk et al., Appl.Phys. Lett. 106, 162905 (2015).
  5. M. Trentzsch, S. Flachowsky, R. Richter et al., IEEE IEDM, 11.5.1 (2016).
  6. S. Mueller, J. Muller, U. Schroeder et al., IEEE Trans.Device Mater.Reliab. 13, 93 (2013).
  7. M. Pesiˇc, F.P.G. Fengler, S. Slesazeck et al., IEEE IRPS, MY–3–1 (2016).
  8. U. Schroeder, E. Yurchuk, J. M¨uller et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 08LE02 (2014).
  9. H. J. Kim, M.H. Park, Y. J. Kim et al., Nanoscale 8, 1383 (2016).
  10. Y. Lee, H. Alex Hsain, S. S. Fields et al., Appl.Phys. Lett. 118, 012903 (2021).
  11. M.G. Kozodaev, A.G. Chernikova, E.V. Korostylev et al., J.Appl.Phys. 125, 034101 (2019).
  12. M. I. Popovici, A.M. Walke, J. Bizindavyi et al., ACS Appl.Electron.Mater. 4, 1823 (2022).
  13. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Phys. Status Solidi (RRL) 8, 532 (2014).
  14. S. S. Fields, S. W. Smith, S. T. Jaszewski et al., J.Appl.Phys. 130, 134101 (2021).
  15. A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, R.R. Khakimov et al., Appl.Phys. Lett. 117, 192902 (2020).
  16. S. Migita, H. Ota, H. Yamada et al., Jpn. J.Appl. Phys. 57, 04FB01 (2018).
  17. S.W. Smith, A.R. Kitahara, M.A. Rodriguez et al., Appl.Phys. Lett. 110, 072901 (2017).
  18. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 105, 072902 (2014).
  19. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Shiraishi et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 09PA04 (2014).
  20. M. Hyuk Park, H. Joon Kim, Y. Jin Kim et al., Appl. Phys. Lett. 102, 112914 (2013).
  21. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 104, 072901 (2014).
  22. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Oikawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 112904 (2015).
  23. G. Karbasian, R. dos Reis, A.K. Yadav et al., Appl. Phys. Lett. 111, 022907 (2017).
  24. T.M. Zalyalov and D.R. Islamov, 2022 IEEE EDM, 48 (2022).
  25. К.А. Насыров, В.А. Гриценко, ЖЭТФ 139, 1172 (2011).
  26. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng et al., Appl.Phys. Lett. 105, 222901 (2014).
  27. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, and D.R. Islamov, Phys.Rep. 613, 1 (2016).
  28. V.A. Gritsenko and A.A. Gismatulin, Appl.Phys. Lett. 117, 142901 (2020).
  29. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko et al., Appl.Phys. Lett. 106, 102906 (2015).
  30. Д.Р. Исламов, А.Г. Черникова, М. Г. Козодаев и др., Письма в ЖЭТФ 102, 610 (2015).
  31. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov et al., Acta Mater. 166, 47 (2019).
  32. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, Автометрия 53, 102 (2017).
  33. A.A. Pil’nik, A.A. Chernov, and D.R. Islamov, Sci.Rep. 10, 15759 (2020).
  34. J. M¨uller, T. S. B¨oscke, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112901 (2011).
  35. P. Nukala, M. Ahmadi, Y. Wei et al., Science 372, 630 (2021).
  36. H.C. Barshilia, M. S. Prakash, A. Poojari et al., Thin Solid Films 460, 133 (2004).
  37. R. Alcala, M. Materano, P.D. Lomenzo et al., Adv. Funct.Mater. 33, 2303261 (2023).
  38. E.D. Grimley, T. Schenk, X. Sang et al., Adv.Electron. Mater. 2, 1600173 (2016).
  39. R. Alcala, F. Mehmood, P. Vishnumurthy et al., IEEE IMW (2022).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024