ChASTOTNAYa ZAVISIMOST' GISTEREZISA DVIZhENIYa VAKANSIY V ZAKRYTOM MEMRISTORE NA OSNOVE TOChNO REShAEMOY MODELI UPRAVLYaEMOY NELINEYNOY DIFFUZII

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Рассмотрена частотная зависимость гистерезиса движения вакансий в закрытом с обеих сторон мемристоре под действием протекающего через мемристор периодического электрического тока. На основе точно решаемой нелинейной модели получено уравнение для петель гистерезиса при прохождении прямоугольных импульсов тока со скважностью 2. Оценена эффективность перемещения заряда вакансий током в сравнении с их свободной диффузией. Показано, что максимальная эффективность достигается при определенном, зависящем от амплитуды подаваемого тока, периоде переключений мемристора. Получены аналитические асимптотики этой зависимости и сопротивления мемристора в зависимости от амплитуды и периода пропускаемого через мемристор тока.

Sobre autores

I. Boylo

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина

Email: boylo@donfti.ru
Донецк, Россия

K. Metlov

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина

Email: metlov@donfti.ru
Донецк, Россия

Bibliografia

  1. L. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971).
  2. M. Prezioso, F. Merrikh-Bayat, B. D. Hoskins et al., Nature 521, 61 (2015).
  3. M. Prezioso, F. Merrikh-Bayat, B. D. Hoskins et al., Sci. Rep. 6, 21331 (2016).
  4. R. Berdan, E. Vasilaki, A. Khiat et al., Sci. Rep. 6, 18639 (2016).
  5. V. Saxena, X. Wu, and K. Zhu, in Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS 2018, 27-30 May 2018, Florence, Italy, doi: 10.1109/ISCAS.2018.8351766.
  6. F. Liu and C. Liu, in 2018 55th ACM/ESDA/IEEE Design Automation Conference (DAC), doi: 10.1109/dac.2018.8465849.
  7. T. Ahmed, S. Walia, E. L. H. Mayes et al., Sci. Rep. 9, 15404 (2019).
  8. S. Deswal, A. Kumar, and A. Kumar, AIP Adv. 9, 095022 (2019).
  9. G. Yuan, X. Ma, C. Ding et al., in 2019 IEEE/ACM International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED), doi: 10.1109/islped.2019.8824944.
  10. N. Wu, A. Vincent, D. Strukov et al., Memristor hardware-friendly reinforcement learning, arXiv:cs.ET/2001.06930.
  11. R. Waser and A. Masakazu, Nat. Mater. 6, 833 (2007).
  12. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart et al., Nature 453, 80 (2008).
  13. A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008).
  14. D. Ielmini and H. S. P. Wong, Nat. Electron. 1, 333 (2018).
  15. L. Chua and S. M. Kang, Proc. IEEE 64, 209 (1976).
  16. Y. N. Joglekar and S. J. Wolf, Eur. J. Phys. 30, 661 (2009).
  17. E. Linn, A. Siemon, R. Waser et al., IEEE Trans. Circuits Syst. I 61, 2402 (2014).
  18. J. B. Roldan, E. Miranda, D. Maldonado et al., Adv. Intell. Syst. 5, 2200338 (2023).
  19. D. B. Strukov and R. S. Williams, Appl. Phys. A 94, 515 (2009).
  20. M. J. Rozenberg, M. J. Sanchez, R. Weht et al., Phys. Rev. B 81, 115101 (2010).
  21. N. Ghenzi, M. J. Sanchez, F. Gomez-Marlasca et al., J. Appl. Phys. 107, 093719 (2010).
  22. S. Larentis, F. Nardi, S. Balatti et al., IEEE Trans. Electron Devices 59, 2468 (2012).
  23. S. Kim, S. Choi, and W. Lu, ACS Nano 8, 2369 (2014).
  24. A. Marchewka, R. Waser, and S. Menzel, in 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), p. 145, doi: 10.1109/sispad.2016.7605168.
  25. A. Marchewka, B. Roesgen, K. Skaja et al., Adv. Electron. Mater. 2, 1500233 (2016).
  26. I. V. Boylo, Phys. Stat. Sol. (b) 254, 1600698 (2017).
  27. N. V. Agudov, A. V. Safonov, A. V. Krichigin et al., J. Stat. Mech. 2020, 024003 (2020).
  28. N. Agudov, A. Dubkov, A. Safonov et al., Chaos Solitons Fractals 150, 111131 (2021).
  29. I. V. Boylo and K. L. Metlov, Roy. Soc. Open Sci. 8, 210677 (2021).
  30. A. Mikhaylov, D. Guseinov, A. Belov et al., Chaos Solitons Fractals 144, 110723 (2021).
  31. S. Tang, F. Tesler, F. G. Marlasca et al., Phys. Rev. X 6, 011028 (2016).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024