Терагерцевые источники излучения на сверхрешетках AlGaAs/GaAs

Обложка
  • Авторы: Дашков А.С.1,2, Герчиков Л.Г.1,3, Горай Л.И.1,2,4,5, Харин Н.Ю.3, Соболев М.С.1,2, Хабибуллин Р.А.6, Буравлев А.Д.2,4,5
  • Учреждения:
    1. Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки “Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”
    2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)”
    3. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
    4. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”
    5. Автономная некоммерческая организация высшего образования “Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”
    6. Федеральное государственное автономное научное учреждение “Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук”
  • Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
  • Страницы: 907-912
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://rjsvd.com/0367-6765/article/view/654394
  • DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701570
  • EDN: https://elibrary.ru/VODKEC
  • ID: 654394

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Предложены несколько конструкций терагерцевых излучателей, основанных на совершенных сверхрешетках AlGaAs/GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Для разработанных конструкций рассчитаны энергии переходов, коэффициенты усиления и потерь излучения, которые определили дизайн созданных экспериментальных структур.

Об авторах

А. С. Дашков

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки
“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”

Автор, ответственный за переписку.
Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург

Л. Г. Герчиков

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки
“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург

Л. И. Горай

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки
“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”; Автономная некоммерческая организация высшего образования
“Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург

Н. Ю. Харин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург

М. С. Соболев

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки
“Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет
имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург

Р. А. Хабибуллин

Федеральное государственное автономное научное учреждение
“Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова
Российской академии наук”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Москва

А. Д. Буравлев

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
имени В.И. Ульянова (Ленина)”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”; Автономная некоммерческая организация высшего образования
“Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”

Email: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург; Россия, Санкт-Петербург

Список литературы

  1. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. // ФТП. 1971. Т. 5. № 4. С. 797.
  2. Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. No. 1. P. 61.
  3. Bosco L., Franckie M., Scalari G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. Art. No. 010601.
  4. Leyman R., Bazieva N., Kruczek T. et al. // Recent Pat. Signal Process. 2012. V. 2. Art. No. 12.
  5. Mattsson M.O., Simkó M. // Med. Devices (Auckland, NZ). 2019. V. 12. P. 347.
  6. Banerjee A., Vajandar S., Basu T. Terahertz biomedical and healthcare technologies. Amsterdam: Elsevier, 2020. p. 225.
  7. Federici J.F., Schulkin B., Huang F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 7. Art. No. S266.
  8. Knipper R., Brahm A., Heinz E. et al. // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2015. V. 5. No. 6. P. 999.
  9. Piesiewicz R., Jacob M., Koch M. et al. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2008. V. 14. No. 2. P. 421.
  10. Niu Z., Zhang B., Wang J. et al. // China Commun. 2020. V. 17. No. 3. P.131.
  11. Khalatpour A., Paulsen A.K., Deimert C. et al. // Nature. Photon. 2021. V. 15. No. 1. P. 16.
  12. Lu Q., Razeghi M. // Photonics. 2016. V. 3. No. 3. P. 42.
  13. Vitiello M.S., Tredicucci A. // Adv. Phys.-X. 2021. V. 6. No. 1. Art. No. 1893809.
  14. Köhler R., Tredicucci A., Beltram F. et al. // Nature. 2002. V. 417. No. 6885. P. 156.
  15. Wannier G.H. // Phys. Rev. 1960. V. 117. No. 2. P. 432.
  16. Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. № 2. С. 128; Altukhov I.V., Dizhur S.E., Kagan M.S. et al. // JETP Lett. 2016. V. 103. No. 2. P. 122.
  17. Kagan M.S., Altukhov I.V., Paprotskiy S.K. et al. // Lith. J. Phys. 2014. V. 54. No. 1. P. 50.
  18. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 102. № 4. С. 235; Andronov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // JETP Lett. 2015. V. 102. No. 4. P. 207.
  19. Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // ФTП. 2018. T. 52. № 4. C. 463; Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // Semiconductors. 2018. V. 52. No. 4. P. 431.
  20. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Квант. электрон. 2010. Т. 40. № 5. С. 400; Andro-nov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // Quantum Electron. 2010. V. 40. No. 5. P. 400.
  21. Jirauschek C. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. No. 9. P. 1059.
  22. Kane E.O. Handbook on semiconductors. Amsterdam: Elsevier. 1982. P. 193.
  23. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 11. P. 5815.
  24. Williams B.S. // Nature Photonics. 2007. V. 1. No. 9. P. 517.
  25. Kohen S., Williams B.S., Hu Q. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. No. 5. Art. No. 053106.
  26. Dashkov A.S., Goray L.I. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1410. Art. No. 012085.
  27. Jirauschek C., Kubis T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. No. 1. Art. No. 011307.
  28. Dashkov A.S., Goray L.I. // Semiconductors. 2020. V. 54. No. 14. P. 1823.
  29. Sirtori C., Capasso F., Faist J., Scandolo S. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. No. 12. P. 8663.
  30. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Соболев М.С. и др. // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 11. С. 1906; Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Tech. Phys. 2020. V. 65. No. 11. P.1822.
  31. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Свечников М.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 15. С. 7; Goray L.I., Pirogov E.V., Svechnikov M.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 10. P. 757.
  32. Goray L.I., Pirogov E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1914.
  33. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // J. Physics D. 2020. V. 53. No. 45. Art. No. 455103.
  34. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1910.
  35. Beere H.E., Fowler J.C., Alton J. et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 278. No. 1. P. 756.
  36. Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д. // ЖЭТФ. 2021. Т. 160. № 2. С. 197; Gerchikov L.G., Dashkov A.S., Goray L.I., Bouravleuv A.D. // JETP. 2021. V. 133. No. 2. P. 161.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2.

Скачать (111KB)
Метаданные
3.

Скачать (177KB)
Метаданные
4.

Скачать (63KB)
Метаданные

© А.С. Дашков, Л.Г. Герчиков, Л.И. Горай, Н.Ю. Харин, М.С. Соболев, Р.А. Хабибуллин, А.Д. Буравлев, 2023