Исследование фоточувствительности композита на основе селенида и селенита свинца

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В работе обсуждается технология формирования фоторезистивных соединений на основе композита из селенида и селенита свинца, которые были сформированы путем окисления поликристаллических пленок n-PbSe. Механизм модификации поверхности пленок n-PbSe исследован с помощью сканирующего электронного микроскопa (СЭМ) Zeiss Merlin. Представлены результаты механизма окисления n‑PbSe, вместе с их более ранними публикациями, исследована их согласованность между собой. Предложена теоретическая модель (гипотеза) потенциального профиля фоточувствительного гетероперехода, в которой каждый кристалл пленки n-PbSe во время окисления в атмосфере сухого воздуха образует на поверхности сплошную оболочку p-PbSeO3. В данной работе рассмотрена гипотеза о структурной модели фоточувствительного гетероперехода, предложенная другими авторами, на основании механизма окисления, предложенного нами, практически подтверждена в настоящей работе.

Об авторах

В. В. Томаев

Санкт-Петербургский государственный технологический институт; Санкт-Петербургский горный университет

Email: tvaza@mail.ru
Россия, 190013, Санкт-Петербург, Московский проспект, 26; Россия, 199106, Санкт-Петербург, 21-я линия, 2

Т. В. Стоянова

Санкт-Петербургский горный университет

Email: tvaza@mail.ru
Россия, 199106, Санкт-Петербург, 21-я линия, 2

Ю. В. Петров

Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет

Email: tvaza@mail.ru
Россия, 198504, Санкт-Петербург, Ульяновская, 1,

В. Ю. Михайловский

Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет

Автор, ответственный за переписку.
Email: tvaza@mail.ru
Россия, 198504, Санкт-Петербург, Ульяновская, 1,

Список литературы

  1. Razeghi M., Rogalski A. Semiconductor ultraviolet detectors // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 10. P. 7433–7473.
  2. Zou Y., Zhang Y., Hu Y., Gu H. Ultraviolet Detectors Based on Wide Bandgap Semiconductor Nanowire: A Review // Sensors. 2018. V. 18. № 7. P. 1–25.
  3. Jia L., Zheng W., Huang F. Vacuum-ultraviolet photodetectors // PhotoniX. 2020. P. 1–25.
  4. Liao M. Progress in semiconductor diamond photodetectors and MEMS sensors //Functional Diamond. 2021. V. 1. № 1. P. 29–46.
  5. Blank T.V., Gol’dberg Yu. Semiconductor photoelectric converters for the ultraviolet region of the spectrum // Semiconductors. 2003. V. 37. P. 999–1030.
  6. Taniyasu Y., Kasu M., Makimoto T. An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres // Nature. 2006. V. 441. P. 325–328.
  7. Shur M.S., Zukauskas A. UV Solid-State Light Emitters and Detectors // Proc. NATO ARW. Series II. V. 144. Ed. by Kluwer, Dordrecht, 2004. 308 p.
  8. Guo F., Yang B., Yuan Y., Xiao Z., Dong Q., Bi Y., Huang J. A nanocomposite ultraviolet photodetector based on interfacial trap-controlled charge injection // Nature Nanotechnology. 2012. V. 7. № 12. P. 798–802.
  9. Sang L., Liao M., Sumiya M. Comprehensive Review of Semiconductor Ultraviolet Photodetectors: From Thin Film to One-Dimensional Nanostructures // Sensors. 2013. V. 13. P. 10482–10518.
  10. Soci C., Zhang A., Xiang B., Dayeh S.A., Aplin D.P.R., Park J., Bao X.Y., Lo Y.H., Wang D. ZnO Nanowire UV Photodetectors with High Internal Gain // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 1003–1009.
  11. Kind B.H., Yan H., Messer B., Law M., Yang P. Nanowire Ultraviolet Photodetectors and Optical Switches // Adv. Mater. 2002. V. 14. P. 158–160.
  12. Ji L.W., Peng S.M., Su Y.K., Young S.J., Wu C.Z., Cheng W.B. Ultraviolet photodetectors based on selectively grown ZnO nanorod arrays // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. Iss. 20. P. 1–3.
  13. Yan F., Xin X., Aslam S., Zhao Y., Franz D., Zhao J.H., Weiner M. 4H-Sic UV photo detectors with large area and very high specific detectivity // IEEE Journal of quantum electronics. 2004. V. 40. № 9. P. 1315–1320.
  14. Bi G., Zhao F., Ma J., Mukherjee S., Li D., Shi Z. Modeling of the Potential Profile for the Annealed Polycrystalline PbSe Film // PIERS Online. 2009. V. 5. № 1.
  15. Попов В.П., Тихонов П.А., Томаев В.В. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца // Физика и химия стекла. 2003. Т. 29. № 5. С. 686–694.15.
  16. Tomaev V.V., Miroshkin V.P., Gar’kin L.N., Tikhonov P.A. Dielectric properties and phase transition in the PbSe + PbSeO3 composite material // Glass Physics and Chemistry. 2005. V. 31. № 6. P. 812–819.16.
  17. Giannuzzi L.A., Stevie F.A. Introduction to Focused Ion Beams. Instrumentation, Theory, Techniques and Practice // Springer New York, ISBN 978-0-387-23116-7.17.
  18. Tomaev V.V., Makarov L.L., Tikhonov P.A., Solomennikov A.A. Oxidation of Lead Selenide // Glass Physics and Chemistry. 2004. V. 30. № 4. P. 349–355.
  19. Dashevsky Z., Kasiyan V., Radovsky G., Shufer E., Auslender M. Mid-infrared photoluminescence of PbSe film structures up to room temperature // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. 2008. V. 7142. № 11. 14 p.
  20. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. – М.: Изд. иностранной литературы, 1962. 560 с.
  21. Humphrey J.N., Scanlon W.W. Photoconductivity in Lead Selenide. Experimental // Phys. Rev. 1957. V. 105. №1. P. 469–475.22.22.
  22. Humphrey J.N., Petritz R.L. Photoconductivity of Lead Selenide: Theory of the Mechanism of Sensitization // Phys. Rev., 1957. V. 105. № 6. P. 1736–1739.
  23. Yasuoka Y., Wada M. Thermally Stimulated Current of Vacuum Deposited PbSe Films // Japanese Journal of Applied Physics. V. 13. № 11. P. 1797–1803.
  24. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. –М.: Наука, 1967. 176 с.
  25. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. М.: Наука, 1968. 383 с.
  26. Tomaev V.V., Egorov S.V., Stoyanova T.V. Investigation into the Photosensitivity of a Composite from Lead Selenide and Selenite in UV Region of Spectrum // Glass Physics and Chemistry. 2014. V. 40. № 2. P. 208–214.

Дополнительные файлы


© В.В. Томаев, Т.В. Стоянова, Ю.В. Петров, В.Ю. Михайловский, 2023