Спиновые волны в магнитных микроструктурах: магнонная логика и обработка информации

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлен обзор современного состояния исследований в области магноники, направленной на разработку энергоэффективной элементной базы информационных систем и технологий, основанных на эффектах возбуждения, распространения и детектирования спиновых волн в тонкопленочных магнитных микро- и наноструктурах. Обсуждается прогресс, достигнутый в области разработки материалов для волноводов спиновых волн, а также в методах возбуждения, приема и управления распространением спиновых волн. Рассмотрены практические реализации эффектов распространения спиновых волн в магнитных микроструктурах для построения ряда логических ключей, обработки магнитных изображений, нейроморфных вычислений, сверхвысокочастотных устройств обработки информации и магнитных сенсоров, а также задачи, которые необходимо решить для дальнейшего развития.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. А. Никитов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: filimonov_sb@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009

Ю. А. Филимонов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: filimonov_sb@cplire.ru

Саратовский филиал

Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019

Список литературы

  1. Ферт А. // Успехи физ. наук. 2008. Т. 178. № 12. С. 1336.
  2. Грюнберг П.А. // Успехи физ. наук. 2008. Т. 178. № 12. С. 1349.
  3. The Nobel Prize in Physics 2007. Stokholm: The Royal Swedish Academy of Sciences https://www.nobelprize.org/uploads/2013/06/popular-physicsprize2007.pdf
  4. Wolf S.A., Awschalom D.D., Buhrman R.A. et al. // Science. 2001. V. 294. № 5546. P. 1488.
  5. Zutic I., Fabian J., Das Sarma S. // Rev. Mod. Phys. 2004. V. 76. № 2. V. 76. P. 323.
  6. Bernstein K., Cavin R.K., Porod W. et al. // Proc. IEEE.2010. V. 98. № 12. P/2169 (2010). https://doi.org/10.1109/JPROC.2010.2066530
  7. Nikonov D.E., Young I.A. // Proc. IEEE. 2013. V. 101. № 12. P. 2498.
  8. Roy K., Bandyopadhyay S., Atulasimha J. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. № 6. P. 063108.
  9. Neusser S., Grundler D. // Advanced Mater. 2009. V. 21. № 28. P. 2927.
  10. Serga A.A., Chumak A.V., Hillebrands B. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. № 26. Article No. 264002.
  11. Khitun A., Bao M., Wang K.L. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. № 26. Article No. 264005.
  12. Lenk B., Ulrichs H., Garbs F., Münzenberg M. // Phys. Reports. 2011. V. 507. P. 107.
  13. Krawczyk M., Grundler D. // J. Phys. Cond. Matt. 2014. V. 26. № 12. Article No. 123202. https://doi.org/10.1088/0953-8984/26/12/123202
  14. Chumak A., Vasyuchka V., Serga A., Hillebrands B. // Nature Phys. 2015. V. 11. № 6. P. 453.
  15. Hикитов С.А., Калябин Д.В., Лисенков И.В. и др. // Успехи физ. наук. 2015. Т. 185. № 10. С. 1099.
  16. Xитун А.Г., Кожанов А.Е. // Изв. Саратов. ун-та. Новая Серия. Сер. Физика. 2017. Т. 17. № 4. С. 216.
  17. Levinstein H.J., Licht S., Landorf R.W., Blank S.L. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 19. № 11. P. 486. https://doi.org/10.1063/1.1653784
  18. Schilz W. // Philips Research Reports. 1973. V. 28. № 1. P. 50.
  19. Fletcher R.C., Le Craw R.C., Spencer E.G. // Phys. Rev. 1960. V. 117. № 4. P. 955.
  20. Гуревич А.Г., Мелков Г.А. Магнитные колебаний и волны. М. Физматлит, 1994.
  21. Stancil D.D., Prabhakar A. Spin Waves: Theory and Applications N. Y.: Springer, 2009
  22. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. Спинволновая электроника. М.: Знание, 1988.
  23. Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. № 11. С. 3–4.
  24. Hикитов В.А., Никитов С.А. // Зарубеж. радиоэлектрон. 1981. № 12. С. 41.
  25. Звездин А.К., Медников А.М., Попков А.Ф. // Электронная промышленность. 1983. № 8. С. 14.
  26. Вапнэ Г.М. // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. 1984. № 8. 80 с.
  27. Pодриг Г.П. // ТИИЭР. 1988. Т. 76. № 2. С. 29.
  28. Kostylev M.P., Serga A.A., Schneider T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. № 15. P. 153501.
  29. Schneider T., Serga A.A., Leven B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. № 2. P. 022505.
  30. Khitun A., Wang K.L. // Superlattices and Microstructures. 2005. V. 38. P. 184. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2005.07.001
  31. Khitun A., Bao M., Lee J.-Y. et al. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2008. V. 3. № 1. P. 24. https://doi.org/10.1166/jno.2008.003
  32. Khitun A., Bao M., Wang K.L. // IEEE Trans. 2008. V. MAG-44. № 9. P. 2141. https://doi.org/10.1109/TMAG.2008.2000812
  33. Donahue M.J., Porter D.G. OOMMF User’s Guide. Version 1.0. Report NISTIR6376. Gaithersburg: NIST, 1999. 94 p. https://nvlpubs.nist.gov/nistpubs/Legacy/IR/nistir6376.pdf
  34. Demokritov S.O., Hillebrands B., Slavin A.N. // Phys. Reports. 2001. V. 348. № 6. P. 441. https://doi.org/10.1016/S0370-1573(00)00116-2
  35. Freeman M.R., Hiebert W.K., Stankiewicz A. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. № 11. P. 6217. https://doi.org/10.1063/1.367716
  36. Hicken R.J., Barman A., Kruglyak V.V., Ladak S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. № 18. P. 2183
  37. Covington M., Crawford T.M., Parker G.J. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89. № 23. P. 237202. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.89.237202
  38. Bailleul M., Olligs D., Fermon C., Demokritov S. // Europhys. Lett. 2001. V. 56. № 5. P. 741.
  39. Demidov V.E., Demokritov S.O. // IEEE Trans. 2014. V. MAG-51. № 8. P. 0800215. https://doi.org/10.1109/TMAG.2014.2388196
  40. Chumak A.V., Serga A.A., Hillebrands B. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 24. Article No. 244001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa6a65
  41. Prokopenko O., Bozhko D., Tyberkevych V. et al. // Ukrainian J. Phys. 2019. V. 64. № 10. P. 888. https://doi.org/10.15407/ujpe64.10.888
  42. Minzioni P., Lacava C., Tanabe T. et al. // J. Opt. 2019. V. 21. № 6. P. 063001. https://doi.org/10.1088/2040-8986/ab0e66
  43. Sharaevsky Y.P., Sadovnikov A.V., Beginin E.N. et al. Functional Nanostructures and Metamaterials for Superconducting Spintronics (NanoScience and Technology) / Ed. by A. Sidorenko. Cham: Springer, 2018. P. 221. https://www.springer.com/us/book/9783319904801
  44. Stamps R.L., Breitkreutz S., Åkerman J. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. № 33. Article No. 333001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/33/333001
  45. Hirohata A., Sukegawa H., Yanagihara H. et al. // IEEE Trans. 2015. V. MAG-51. № 10. Article No. 0800511.
  46. Sander D., Valenzuela S.O., Makarov D. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 36. Article No. 363001.
  47. Pan S., Mondal S., Seki T. et al. // Phys. Rev. B. 2016. V. 94. № 18. P. 184417.
  48. Зильберман П.Е., Казаков Г.Т., Тихонов В.В. // РЭ. 1985. Т. 30. № 6. С. 1164.
  49. Kазаков Г.Т., Сухарев А.Г., Филимонов Ю.А. // ФТТ.1990. Т. 32. № 12. С. 3571.
  50. Ciubotaru F., Talmelli G., Devolder T. et al. // Proc. 2018 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco. 1–5 Dec. N.Y.: IEEE, 2018. P. 36.1.1. https://doi.org/10.1109/IEDM.2018.8614488.
  51. Goto T., Yoshimoto T., Iwamoto B. et al. // Scientific Reports. 2019. V. 9. Article No. 16472. https://doi.org/10.1038/s41598-019-52889-w
  52. Zografos O., Vaysset A., Sorée B., Raghavan P. Beyond-CMOS Technologies for Next Generation Computer Design / Eds. by R. Topaloglu, H. S. Wong. Cham: Springer, 2019. P. 231. https://doi.org/10.1007/978-3-319-90385-9_7
  53. Chen X.X., Wang Q., Bai F.M. et al. // IEEE Trans. 2016. V. MAG-52. № 7. Article No. 1400104. https://doi.org/10.1109/TMAG.2016.2524637
  54. Sato N., Lee S.-J., Lee S.-W. et al. // Appl. Phys. Express. 2016. V. 9. № 8. Article No. 083001.
  55. Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Sheshukova S.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 107. № 20. Article No. 202405. https://doi.org/10.1063/1.4936207
  56. Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Morozova M.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. № 4. Article No. 042407. https://doi.org/10.1063/1.4960195
  57. Oдинцов С.А., Бегинин Е.Н., Шешукова С.Е., Садовников А.В. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 110. № 6. С. 414. https://doi.org/10.1134/S0370274X19180115
  58. Sadovnikov A.V., Gubanov V.A., Sheshukova S.E. et al. // Phys. Rev. Appl. 2018. V. 9. № 5. Article No. 051002. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.9.051002
  59. Wang Q., Pirro P., Verba R. et al. // Science Advances. 2018. V. 4. № 1. Article No. e1701517. https://doi.org/10.1126/sciadv.1701517
  60. Wang Q., Kewenig M., Schneider M. et al. // Nature Electronics. 2020. V. 3. № 12. P. 765. https://doi.org/10.1038/s41928-020-00485-6
  61. Kalyabin D.V., Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Nikitov S.A. // J. Appl. Phys.2019. V. 126. № 17. Article No. 173907. https://doi.org/10.1063/1.5099358
  62. Beginin E.N., Sadovnikov A.V., Sharaevsky Yu.P., Nikitov S.A. // Solid State Phenom. 2014. V. 215. P. 389. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.215.389
  63. Davies C.S., Francis A., Sadovnikov A.V. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. № 2. Article No. 020408(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.92.020408
  64. Sadovnikov A.V., Davies C.S., Grishin S.V. et al. // Appl. Phys. Lett. V. 106. № 19. Article No. 192406. https://doi.org/10.1063/1.4921206
  65. Sadovnikov A.V., Davies C.S., Kruglyak V.V. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. № 6. P. 060401(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.060401
  66. Stigloher J., Taniguchi T., Madami M. et al. // Appl. Phys. Express. 2018. V. 11. № 5. Article No. 053002. https://doi.org/10.7567/APEX.11.053002
  67. Gruszecki P., Krawczyk M. // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. № 9. P. 094424. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.094424
  68. Balynsky M., Kozhevnikov A., Khivintsev Y. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. № 2. Article No. 024504. https://doi.org/10.1063/1.4973115
  69. Balinskiy M., Gutierrez D., Chiang H. et al. // AIP Advances. 2017. V. 7. № 5. P. 056633. http://dx.doi.org/10.1063/1.4974526
  70. Дудко Г.М., Кожевников А.В., Хивинцев Ю.В. и др. // РЭ. 2018. Т. 63. № 10. С. 1105. https://doi.org/10.1134/S0033849418100091
  71. Хивинцев Ю.В., Кожевников А.В., Сахаров В.К. и др. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 11. С. 1712. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48333.118-19
  72. Bашковский А.В., Стальмахов А.В., Шахназарян Д.Г. // Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. № 11. С. 67.
  73. Annenkov A.Yu., Gerus S.V., Lock E.H. // Euro Phys. Lett. 2018. V. 123. № 4. Article No. 44003. https://doi.org/10.1209/0295-5075/123/44003
  74. Demidov V.E., Demokritov S.O., Birt D. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 80. № 1. P. 014429. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.014429
  75. Schneider T., Serga A.A., Chumak A.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 104. № 19. P. 197203. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.197203
  76. Davies C.S., Sadovnikov A.V., Grishin S.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 107. № 16. Article No. 162401. https://doi.org/10.1063/1.4933263
  77. Gieniusz R., Ulrichs H., Bessonov V.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. № 10. Article No. 102409. https://doi.org/10.1063/1.4795293
  78. Madami M., Khivintsev Y., Gubbiotti G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 113. № 15. Article No. 152403. https://doi.org/10.1063/1.5050347
  79. Bao W., Wang Z., Cao Y., Yan P. // Phys. Rev. B. 2020. V. 102. № 1. Article No. 014423. https://doi.org/1103/PhysRevB.102.014423
  80. Shiota Y., Funada S., Hisatomi R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. № 19. Article No. 192411. https://doi.org/10.1063/5.0010410
  81. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Животовский Л.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 77. № 10. С. 670.
  82. Kryshtal R.G., Medved A.V. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. № 19. Article No. 192410. https://doi.org/10.1063/1.4714507
  83. Frey P., Nikitin A.A., Bozhko D.A. et al. // Commun. Phys. 2020. V. 3. Article No. 17. https://doi.org/10.1038/s42005-020-0281-y
  84. Высоцкий С.Л., Хивинцев Ю.В., Филимонов Ю.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. № 22. С. 66.
  85. Vysotskii S., Dudko G., Sakharov V. et al. // Acta Physica Polonica A. 2018. V. 133. № 3. P. 508. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.133.508
  86. Ustinov A.B., Drozdovskii A.V., Nikitin A.A. et al. // Commun Phys. 2019. V. 2. Article No. 137. https://doi.org/10.1038/s42005-019-0240-7
  87. Nikitin Al.A., Nikitin A.A., Kondrashov A.V. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. № 15. Article No. 153903. https://doi.org/10.1063/1.5000806
  88. Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Odincov S.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. № 17. Article No. 172411. https://doi.org/10.1063/1.4948381
  89. Silvani R., Kostylev M., Adeyeye A.O., Gubbiotti G. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 51. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.03.046
  90. Андреев А.С., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. и др. // ЖЭТФ. 1984. Т. 86. № 3. С. 1005.
  91. Kalinikos B.A., Slavin A.N. // J. Phys. C: Sol. State Phys. 1986. V. 19. № 35. P. 7013. https://doi.org/10.1088/0022–3719/19/35/014
  92. Высоцкий С.Л., Казаков Г.Т., Маряхин А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 8. C. 673.
  93. Sakharov V.K., Beginin E.N., Khivintsev Y.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. № 2. Article No. 022403. https://doi.org/10.1063/5.0013150
  94. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. // Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. № 11. С. 6.
  95. Nikitov S., Filimonov Y., Vysotsky S. et al. // Proc. 2012 IEEE Int. Ultrasonic Symp. Dresden. 7–10 Oct. N.Y.: IEEE, 2012. P. 1240. https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2012.0309
  96. Litvinenko A.N., Sadovnikov A.V., Tikhonov V.V., Nikitov S.A. // IEEE Magn. Lett. 2015. V. 6. Article No. 3200204. https://doi.org/10.1109/LMAG.2015.2494008
  97. Graczyk P., Kłos J., Krawczyk M. // Phys. Rev. B. 95. 2017. № 10. Article No. 104425. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.104425
  98. Ползикова Н.И., Алексеев С.Г., Лузанов В.А., Раевский А.О. // ФТТ. 2018. Т. 60. № 11. С. 2170. http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2018.11.46659.17NN
  99. Latcham O.S., Gusieva Y.I., Shytov A.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. № 8. Article No. 082403. https://doi.org/10.1063/1.5115387
  100. Alekseev S.G., Dizhur S.E., Polzikova N.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. № 7. Article No. 072408. https://doi.org/10.1063/5.0022267
  101. An K., Litvinenko A.N., Kohno R. et al. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. № 6. Article No. 060407(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.060407
  102. Бухараев А.А., Звездин А.К., Пятаков А.П., Фетисов Ю.К. // Успехи физ. наук. 2018. Т. 188. № 12. С. 1288. https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.01.038279
  103. Rana B., Otani Y.C. // Commun. Physics. 2019. V. 2. P. 90. https://doi.org/10.1038/s42005-019-0189-6
  104. Wang Q., Chumak A.V., Jin L. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 95. № 13. Article No. 134433. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.134433
  105. Zhang X., Liu T., Flatté M.E., Tang H.X. // Phys. Rev. Lett. 2014. М. 113. № 3. Article No. 037202.
  106. Krivoruchko V.N., Savchenko A.S., Kruglyak V.V. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. № 2. Article No. 024427.
  107. Rana B., Fukuma Y., Miura K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. № 5. Article No. 052404. https://doi.org/10.1063/1.4990724
  108. Sadovnikov A.V., Grachev A.A., Sheshukova S.E. et al. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 120. № 25. Article No. 257203. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.257203
  109. Grachev A.A., Sheshukova S.E., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 515. Artcile No. 167302. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.167302
  110. Brandl F., Franke K.J.A., Lahtinen T.H.E. et al. // Sol. State Commun. 2014. V. 198. P. 13, 198, 13–17 (2014). https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.12.019
  111. Bысоцкий С.Л., Хивинцев Ю.В., Сахаров В.К., Филимонов Ю.А. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 7. С. 1044. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.07.47796.366-18
  112. Казаков Г.Т., Кац М.Л., Сухарев А.Г., Филимонов Ю.А. // ЖТФ. 1992. Т. 62. № 11. С. 115.
  113. Vogel M., Chumak A.V., Waller E.H. et al. // Nature Phys. 2015. V. 11. № 6. P. 487. https://doi.org/10.1038/nphys3325
  114. Dzyapko O., Borisenko I.V., Demidov V.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. № 23. Article No. 232407. https://doi.org/10.1063/1.4971829
  115. Vogel M., Aßmann R., Pirro P. et al. // Science Reports. 2018. V. 8. Article No. 11099. https://doi.org/10.1038/s41598-018-29191-2
  116. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. // РЭ. 1978. Т. 23. № 5. С. 897.
  117. Nikulin Y.V., Seleznev M.E., Khivintsev Y.V. et al. // ФТП. 2020. Т. 54. № 12. С. 1401.
  118. Sinova J., Valenzuela S.O., Wunderlich J. et al. // Rev. Mod. Phys. 2015. V. 87. № 4. P. 1213. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.87.1213
  119. Althammer M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. № 31. Article No. 313001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaca89
  120. Еvelt M., Demidov V.E., Bessonov V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. № 17. Article No. 172406. https://doi.org/10.1063/1.4948252
  121. Aнфиногенов В.Б., Вербицкая Т.Н., Гуляев Ю.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. № 15. С. 938. Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 389 (1986).
  122. Fetisov Y.K., Srinivasan G. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. № 10. P. 103502. https://doi.org/10.1063/1.2037860
  123. Морозова М.А., Шараевский Ю.П., Никитов С.А. // РЭ. 2014. Т. 59. № 5. С. 510.
  124. Устинова И.А., Никитин А.А., Устинов А.Б. // ЖТФ. 2016. Т. 86. № 3. С. 155. http://journals.ioffe.ru/articles/42927
  125. Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Bublikov K.V. et al. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. № 20. Article No. 203906. https://doi.org/10.1063/1.4936320
  126. Sadovnikov A.V., Grachev A.A., Beginin E.N. et al. // Phys. Rev. Appl. 2017. V. 7. № 1. Article No. 014013. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.7.014013
  127. Aнфиногенов В.Б., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. № 14. С. 24.
  128. Гуляев Ю.В., Огрин Ю.Ф., Ползикова Н.И., Раевский А.О. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 66. № 1. С. 50.
  129. Dobrovolskiy O.V., Sachser R., Brächer T. et al. // Nature Phys. 2019. V. 15. № 5. P. 477. https://doi.org/10.1038/s41567-019-0428-5101
  130. Хивинцев Ю.В., Дудко Г.М., Сахаров В.К. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. № 9. С. 1664. https://doi.org/10.21883/FTT.2019.09.48108.15N
  131. Ishibashi M., Shiota Y., Li T. et al. // Science Advanced. 2020. V. 6. № 7. Article No. eaaz6931. https://doi.org/10.1126/sciadv.aaz6931
  132. Au Y., Dvornik M., Dmytriiev O., Kruglyak V.V. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. № 17. Article No. 172408. https://doi.org/10.1063/1.4705289
  133. Kozhevnikov A., Gertz F., Dudko G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. № 14. Article No. 142409.
  134. Gutierrez D., Chiang H., Bhowmick T. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 428. P. 348. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.12.022.
  135. Львов В.С. Нелинейные спиновые волны. M.: Наука, 1987.
  136. Demokritov S.O., Demidov V.E., Dzyapko O. et al. // Nature. 2006. V. 443. № 7110. P. 430. https://doi.org/10.1038/nature05117
  137. Bozhko D.A., Kreil A.J.E., Yu H. et al. // Nature Commun. 2019. V. 10. Article No. 2460. https://doi.org/10.1038/s41467-019-10118-y
  138. Borisenko I.V., Divinskiy B., Demidov V.E. et al. // Nature Commun. 2020. V. 11. Article No. 1691. https://doi.org/10.1038/s41467-020-15468-6
  139. Устинов А.Б., Калиникос Б.А., Srinivasan G. // ЖТФ. 2014. Т. 84. № 9. С. 146.
  140. Sadovnikov A.V., Odintsov S.A., Beginin E.N. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. № 14. Article No. 144428.
  141. Садовников А.В., Одинцов С.А., Бегинин Е.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ. Т. 107. № 1. С. 29. https://doi.org/10.1134/S0021364018010113
  142. Кожевников А.В., Хивинцев Ю.В., Сахаров В.К. и др. // Изв. вузов. Прикл. нелин. динамика. 2019. Т. 27. № 3. С. 9. https://doi.org/10.18500/0869-6632-2019-27-3-9-32
  143. Кожевников А.В., Дудко Г.М., Хивинцев Ю.В. и др. // Изв. вузов. Прикл. нелин. динамика. 2020. Т. 28. № 2. С. 168. https://doi.org/10.18500/0869-6632-2020-28-2-168-185
  144. Высоцкий С.Л., Павлов Е.С., Кожевников А.В. и др. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 11. С. 1719. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.11.48334.132-19
  145. Chumak A.V., Serga A.A., Hillebrands B. // Nature Commun. 2014. V. 5. Article No. 4700.
  146. Sandweg C.W., Kajiwara Y., Chumak A.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. № 26. Article No. 216601. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.106.216601
  147. Kurebayashi Н., Dzyapko O., Demidov V.E. et al. // Nature Mater. 2011. V. 10. P. 660. https://doi.org/10.1038/NMAT3053
  148. Manuilov S.A., Du C.H., Adur R. et al. // Appl. Phys. Lett.2015. V. 107. № 4. Article No. 042405. https://doi.org/10.1063/1.4927451
  149. Noack T.B., Vasyuchka V.I., Bozhko D.A. et al. // Phys. Stat. Sol. B. 2019. V. 256. № 9. Article No. 1900121. https://doi.org/10.1002/pssb.201900121
  150. Verba R., Carpentieri M., Finocchio G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. № 4. Article No. 042402. https://doi.org/10.1063/1.5019357
  151. Macia F., Kent A.D., Hoppensteadt F.C. // Nano-technology. 2011. V. 22. № 9. Article No. 095301. https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/9/095301
  152. Nikonov D.E., Csaba G., Porod W. et al. // IEEE J. Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits. 2015. V. 1. P. 85. https://doi.org/10.1109/JXCDC.2015.2504049
  153. Grollier J., Querlioz D., Stiles M.D. // Proc. IEEE. 2016. V. 104. № 10. P. 2024. https://doi.org/10.1109/JPROC.2016.2597152
  154. Romera M., Talatchia P., Tsunegi S. et al. // Nature. 2018. V. 563. № 7730. P. 230. https://doi.org/10.1038/s41586-018-0632-y
  155. Iwakiri S., Sugimoto S., Niimi Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. № 2. Article No. 022406. https://doi.org/10.1063/5.0013102
  156. Садовников А.В., Грачев А.А., Одинцов С.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 108. № 5. С. 332. https://doi.org/10.1134/S0370274X1817006X
  157. Wang Q., Kewenig M., Schneider M. et al. // Nature Electron. 2020. V. 3. № 12. P. 765. https://doi.org/10.1038/s41928-020-00485-6
  158. Brächer T., Pirro P. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 15. Article No. 152119. https://doi.org/10.1063/1.5042417
  159. Grollier J., Querlioz D., Camsari K.Y. et al. // Nature Electron. 2020. V. 3. № 7. P. 360 (2020). https://doi.org/10.1038/s41928-019-0360-9
  160. Damon R.W., Eshbach J.R. // J. Phys. Chem. Solids. 1961. V. 19. № 3, 4. P. 308.
  161. Mahmoud A., Vanderveken F., Adelmann C. et al. // AIP Advances. 2020. V. 10. № 3. Article No. 035119. https://doi.org/10.1063/1.5134690
  162. Hahn C., de Loubens G., Klein O. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. № 17. Article No. 174417. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.174417
  163. Dubs C., Surzhenko O., Linke R. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 20. Article No. 204005. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa6b1c
  164. Maendl S., Stasinopoulos I., Grundler D. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. № 1. Article No. 012403. https://doi.org/10.1063/1.4991520
  165. Dubs C., Surzhenko O., Thomas R. et al. // Phys. Rev. Mater. 2020. V. 4. № 2. Article No. 024416. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.024416[
  166. Ding J., Liu T., Chang H., Wu M. // IEEE Magn. Lett. 2020. V. 11. № 1. Article No. 5502305. https://doi.org/10.1109/LMAG.2020.2989687
  167. Liu T., Chang H., Vlaminck V. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. № 17. Article 17A501. https://doi.org/10.1063/1.4852135
  168. Chang H., Li P., Zhang W. et al. // IEEE Magn. Lett. 2014. V. 5. Article No. 6700104. https://doi.org/10.1109/LMAG.2014.2350958
  169. Sun Y., Song H., Chang Y.-Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. № 15. Article No. 152405. https://doi.org/10.1063/1.4759039
  170. Li S., Zhang W., Ding J. et al. // Nanoscale. 2016. V. 8. № 1. P. 388. https://doi.org/10.1039/c5nr06808h
  171. Zhu N., Chang H., Franson A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 110. № 25. Article No. 252401. https://doi.org/10.1063/1.4986474
  172. Manuilov S.A., Grishin A.M. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. № 1. Article No. 013902. https://doi.org/10.1063/1.3446840
  173. d’Allivy Kelly O., Anane A., Bernard R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. № 8. Article No. 082408. https://doi.org/10.1063/1.4819157
  174. Onbasli M.C., Kehlberger A., Kim D.H. et al. // APL Mater. 2014. V. 2. № 10. Article No. 106102. https://doi.org/10.1063/1.4896936
  175. Sokolov N.S., Fedorov V.V., Korovin A.M. et al. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. № 2. Article No. 023903. https://doi.org/10.1063/1.4939678
  176. Hauser C., Richter T., Homonnay N. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 20827. https://doi.org/10.1038/srep20827
  177. Krysztofik A., Coy L. E., Kuświk P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. № 19. Article No. 192404. https://doi.org/10.1063/1.5002004
  178. Krysztofik A., Głowinski H., Kuswik P. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 23. Article No. 235004.
  179. Lutsev L.V., Korovin A.M., Bursian V.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. № 18. Article No. 182402. https://doi.org/10.1063/1.4948304
  180. Lutsev L.V., Korovin A.M., Suturin S.M. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2020. V. 53. № 26. Article No. 265003. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab7ca7
  181. Stognij A.I., Tokarev V.V., Mitin Yu.N. // Proc. Mater. Research Soc. Symp. 1992. V. 236. P. 331. https://doi.org/10.1557/PROC-236-331
  182. Хивинцев Ю.В., Сахаров В.К., Высоцкий С.Л. и др. // ЖТФ. 2018. Т. 88. № 7. С. 1060. https://doi.org/10.21883/JTF.2018.07.46178.2448
  183. Высоцкий С.Л., Хивинцев Ю.В., Кожевников А.В. и др. // РЭ. 2019. Т. 64. № 12. С. 1202.
  184. Саланский Н.М., Ерухимов М.Ш. Физические свойства и применение тонких магнитных пленок. Новосибирск: Наука, 1973.
  185. Yao S., Sato T., Kaneko K. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2014. V. 53. № 5S1. Article No. 05FB17. https://doi.org/10.7567/JJAP.53.05FB17
  186. Lucas I., Jiménez-Cavero P., Vila-Fungueirino J.M. et al. // Phys. Rev. Mater. 2017. V. 1. № 7. Article No. 074407. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.1.074407
  187. Buhay H., Adam J.D., Daniel M.R. et al. // IEEE Trans. 1995. V. MAG-31. № 6. P. 3832. https://doi.org/10.1109/20.489787
  188. Chen Z., Harris V.G. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. № 8. Article No. 081101. https://doi.org/10.1063/1.4739219
  189. Csaba G., Papp A., Porod W. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. № 17. Article No. 17C741. https://doi.org/10.1063/1.4868921
  190. de Gasperis P., Miccoli G., di Gregorio C. // Electronics Lett. 1986. V. 22. № 20. P. 1065. https://doi.org/10.1049/el:19860730
  191. Seeds A.J., Williams K.J. // J. Lightwave Technology. 2006. V. 24. № 12. P. 4628. https://doi.org/10.1109/JLT.2006.885787
  192. Capmany J., Novak D. // Nature Photonics. 2007. V. 1. № 6. P. 319. https://doi.org/10.1038/nphoton.2007.89
  193. Yao J. // J. Lightwave Technology. 2009. V. 27. № 3. P. 314. https://doi.org/10.1109/JLT.2008.2009551
  194. Yao J. // IEEE Microwave Magaz. 2015. V. 1. № 8. P. 46. https://doi.org/10.1109/MMM.2015.2441594
  195. Ustinov A.B., Kondrashov A.V., Nikitin A.A. et al. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1326. № 1. P. 012015. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1326/1/012015
  196. Belkin M.E., Loparev A.V., Semenova Y. et al. // Microwave and Optical Technology Lett. 2011. V. 53. P. 2474. https://doi.org/10.1002/mop.26304
  197. Eliyahu D., Maleki L. // Dig. 2003 IEEE/MTT-S Int. Symp. Digest, Philadelphia. 08–13 Jun. N.Y.: IEEE, 2003. V. 3. P. 2185.
  198. Raut N.K., Miller J., Sharping J. // J. Inst. of Science and Technology. 2019. V. 24. № 1. P. 26. http://doi.org/10.3126/jist.v24i1.24625
  199. Ustinov A.B., Nikitin A.A., Kalinikos B.A. // IEEE Magnetics Lett. 2015. V. 6. № 35. Article No. 3500704. http://doi.org/10.1109/LMAG.2015.2487238
  200. Csaba G., Papp A., Porod W. // Phys. Lett A. 2017. V. 81. № 17. P. 1471. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2017.02.042
  201. Breitkreutz-von Gamm S., Papp A., Egel E. et al. // IEEE Magn. Lett. 2017. V. 8. Article No. 3100804. https://doi.org/10.1109/LMAG.2016.2618779
  202. Egel E., Csaba G., Dietz A. et al. // AIP Advances. 2018. V. 8. № 5. Article No. 056001. https://doi.org/10.1063/1.5007435
  203. Papp A., Porod W., Csurgay A., Csaba G. // Scientific Reports. 2017. V. 7. Article No. 9245. https://doi.org/10.1038/s41598-017-09485-7
  204. Stognij A.I., Lutsev L.V., Bursian V.E., Novitskii N.N. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. № 2. Article No. 023905. https://doi.org/10.1063/1.4926475
  205. Stognij A., Lutsev L., Novitskii N. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. V. 48. № 48. Article No. 485002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/48/485002
  206. Высоцкий С.Л., Никулин Ю.В., Кожевников А.В. и др. // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 7. С. 1221 (2020). https://doi.org/10.21883/JTF.2020.07.49460.363-19
  207. Lutsev L.V., Stognij A.I., Novitskii N.N. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. № 35. Article No. 355002. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aad41b
  208. Sakharov V.K., Khivintsev Y.V., Vysotskii S.L. et al. // IEEE Magn. Lett. 2017. V. 8. Article No. 3704105. https://doi.org/10.1109/LMAG.2017.2659638
  209. Sadovnikov A.V., Beginin E.N., Sheshukova S.E. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 99. Article No. 054424. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.054424
  210. Grassi M., Geilen M., Louis D. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 14. № 2. Article No. 024047. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024047
  211. Cахаров В.К., Хивинцев Ю.В., Высоцкий С.Л. и др. // Изв. вузов. Прикл. нелин. динамика. 2017. Т. 25. № 1. С. 35. https://doi.org/10.18500/0869-6632-2017-25-1-35-51
  212. Fan Y., Quarterman P., Finley J. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 13. № 6. Article No. 061002. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.061002
  213. Balinskiy M., Ojha S., Chiang H. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. № 12. Article No. 123904. https://doi.org/10.1063/1.4990565
  214. Soumah L., Beaulieu N., Qassym L. et al. // Nature Commun. 2018. V. 9. Article No. 3355. https://doi.org/10.1038/s41467-018-05732-1
  215. Collet M., de Milly X., d’Allivy Kelly O. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Article No. 10377. http://doi.org/10.1038/ncomms10377
  216. Demidov V.E., Urazhdin S., de Loubens G. et al. // Phys. Reports. 2017. V. 673. P. 1. http://doi.org/10.1016/j.physrep.2017.01.001
  217. Demidov V.E., Urazhdin S., Anane A. et al. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. № 17. Article No. 170901. http://doi.org/10.1063/5.0007095
  218. Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких пленок. М.: Наука, 1988.
  219. Aldosary M., Li J., Tang C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. № 24. Article No. 242401. http://doi.org/10.1063/1.4953454
  220. Li J., Xu Y., Aldosary M. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Article No. 10858. http://doi.org/10.1038/ncomms10858
  221. Chang H., Liu T., Reifsnyder Hickey D. et al. // APL Mater. 2017. V. 5. № 12. Article No. 126104. http://doi.org/10.1063/1.5013626
  222. Ciubotaru F., Devolder T., Manfrini M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. № 1. Article No. 012403. http://doi.org/10.1063/1.4955030
  223. Rousseau O., Rana B., Anami R. et al. // Scientific Reports. 2015. V. 5. Article No. 9873. http://doi.org/10.1038/srep09873
  224. Sekiguchi K., Chiba D., Tachizaki T. // Japan. J. Appl. Phys. 2018. V. 57. № 9. Article No. 0902B4. http://doi.org/10.7567/JJAP.57.0902B4
  225. Sato N., Lee S.-W., Lee K.-J., Sekiguchi K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 9. Article No. 094004. http://doi.org/10.1088/1361–6463/aa59d2
  226. Stückler T., Liu C., Liu T. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. № 14. Article No. 144430. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.144430
  227. Stückler T., Liu C., Yu H. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 13. http://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.09.074
  228. Pan S., Seki T., Takanashi K., Barman A. // Phys. Rev. Appl. 2017. V. 7. № 6. Article No. 064012. http://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.7.064012
  229. Zhou Z., Peng B., Zhu M., Liu M. // J. Advanced Dielectrics. 2016. V. 6. № 2. Article No. 1630005. http://doi.org/10.1142/S2010135X1630005X
  230. Ziętek S., Ogrodnik P., Skowroński W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. № 7. Article No. 072406. http://doi.org/10.1063/1.4961124
  231. Balinskiy M., Chavez A.C., Barra A. et al. // Scientific Reports. 2018. V. 8. Article No. 10867. http://doi.org/10.1038/s41598-018-28878-w
  232. Cherepov S., Amiri P.K., Alzate J.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. № 8. Article No. 082403. http://doi.org/10.1063/1.4865916
  233. Wang D., Nordman C., Qian Z. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. № 10. Article No. 10C906. http://doi.org/10.1063/1.1848355
  234. Chumak O.M., Nabialek A., Zuberek R. et al. // IEEE Trans. 2017. V. MAG-53. № 11. Article No. 2501906. https://doi.org/10.1109/TMAG.2017.2700790
  235. Hämäläinen S.J., Madami M., Qin H. et al. // Nature Commun. 2018. V. 9. Article No. 4853. https://doi.org/10.1038/s41467-018-07372-x
  236. Peng R.-C., Hu J.-M., Momeni K. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 27561. https://doi.org/10.1038/srep27561
  237. Rana B., Otani Y. // Phys. Rev. Appl. 2018. V. 9. № 1. Article No. 014033. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.9.014033
  238. Demidov V.E., Urazhdin S., Rinkevich A.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. № 15. Article No. 152402. https://doi.org/10.1063/1.4871519
  239. Fulara H., Zahedinejad M., Khymyn R. et al. // Science Advances. 2019. V. 5. № 9. Article No. eaax8467. https://doi.org/10.1126/sciadv.aax8467
  240. Talmelli G., Ciubotaru F., Garello K. et al. // Phys. Rev. Appl. 2018. V. 10. № 4. Article No. 044060. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.10.044060
  241. Brächer T., Fabre M., Meyer T. et al. // Nano Lett. 2017. V. 17. № 12. P. 7234. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b02458
  242. Arif M., Zhang Z., Tang J. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 499. Article No. 166072. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.166072
  243. Bhaskar U.K., Talmelli G., Ciubotaru F. et al. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. № 3. Article No. 033902. https://doi.org/10.1063/1.5125751
  244. Bысоцкий С.Л., Казаков Г.Т., Нам Б.П. и др. // ФТТ. 1992. Т. 34. № 5. С. 1376.
  245. Mallick S., Mondal S., Seki T. et al. // Phys. Rev. Appl. 2019. V. 12. № 1. Article No. 014043. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.12.014043
  246. Temiryazev A. // Diamond and Related Mater. 2014. V. 48. P. 60. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2014.07.001
  247. Albisetti E., Petti D., Sala G. et al. // Сommun. Phys. 2018. V. 1. Article No. 56. https://doi.org/10.1038/s42005-018-0056-x
  248. Winter J.M. // Phys. Rev. 1961. V. 124. № 2. P. 452.
  249. Sheshukova S.E., Beginin E.N., Sadovnikov A.V. et al. // IEEE Magn. Lett. 2014. V. 5. Article No. 3700204. https://doi.org/10.1109/LMAG.2014.2365431
  250. Gertz F., Kozhevnikov A., Filimonov Y., Khitun A. // IEEE Trans. 2015. V. MAG-51. № 4. Article No. 4992905. https://doi.org/10.1109/TMAG.2014.2362723
  251. Kanazawa N., Goto T., Sekiguchi K. et al. // Scientific Reports. 2017. V. 7. Article No. 7898. https://doi.org/10.1038/s41598-017-08114-7
  252. Fischer T., Kewenig M., Bozhko D. A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 110. № 15. Article No. 152401. https://doi.org/10.1063/1.4979840
  253. Khivintsev Y.V., Kozhevnikov A.V., Dudko G.M. et al. // Phys. Metals and Metallography. 2019. V. 120. № 13. P. 1318. https://doi.org/10.1134/S0031918X1913012X
  254. Сollet M., Gladii O., Evelt M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 110. № 9. Article No. 092408. https://doi.org/10.1063/1.4976708
  255. Wang Q., Heinz B., Verba R. et al. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 122. № 24. Article No. 247202. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.247202
  256. O’Keeffe T.W., Patterson R.W. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 9. P. 4886. https://doi.org/10.1063/1.325522
  257. Heinz B., Brächer T., Schneider M. et al. // Nano Lett. 2020. V. 20. № 6. P. 4220. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00657
  258. Beginin E.N., Sadovnikov A.V., Sharaevskaya A.Yu. et al. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. № 12. Article No. 122404. https://doi.org/10.1063/1.5023138
  259. Beginin E.N., Kalyabin D.V., Popov P.A. et al. Three-Dimensional Magnonics: Layered Micro- and Nanostructures / Ed. by G. Gubbuotti. Singapore: Jenny Stanford Publishing, 2019. P. 67.
  260. Попов П.А., Шараевская А.Ю., Калябин Д.В. и др. // РЭ. 2018. Т. 63. № 12. С. 1285. https://doi.org/10.1134/S0033849418120161
  261. Beginin E.N., Sadovnikov A.V., Sakharov V.K. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2019. V. 492. Article No. 165647. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.165647
  262. Qin H., Both G.-J., Hämäläinen S.J. et al. // Nature Commun. 2018. V. 9. Article No. 5445. https://doi.org/10.1038/s41467-018-07893-5
  263. Demidov V.E., Kostylev M.P., Rott K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. № 11. Article No. 112509. https://doi.org/10.1063/1.3231875
  264. Vlaminck V., Bailleul M. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. № 1. Article No. 014425. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.014425
  265. Yu H., d’Allivy Kelly O., Cros V. et al. // Scientific Reports. 2014. V. 4. Article No. 6848. https://doi.org/10.1038/srep06848
  266. Khivintsev Y., Filimonov Y., Nikitov S. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. № 5. Article No. 052407. https://doi.org/10.1063/1.4907626
  267. Gruszecki P., Kasprzak M., Serebryannikov A.E. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 22367. https://doi.org/10.1038/srep22367.
  268. Loayza N., Jungfleisch M.B., Hoffmann A. et al. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. № 14. Article No. 144430. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.144430
  269. Zhang Y., Yu T., Chen J.-l. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 24. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.04.048
  270. Rao Y., Zhang D., Jin L. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2019. V. 490. Article No. 165442. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.165442
  271. Chen F., Heimbach T., Liu H. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 3. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.04.045
  272. Shibata K., Kasahara K., Nakayama K. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 24. Article No. 243901. https://doi.org/10.1063/1.5068722
  273. Nakayama M., Yamanoi K., Kasai S. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2015. V. 54. № 8. Article No. 083002. https://doi.org/10.7567/JJAP.54.083002
  274. Kasahara M., Nakayama Y., Xiaorui K. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2017. V. 56. № 1. Article No. 010309. https://doi.org/10.7567/JJAP.56.01030
  275. Papp A., Csaba G., Dey H. et al. // Europ. Phys. J. B. 2018. V. 91. Article No. 107. https://doi.org/10.1140/epjb/e2018-80623-x
  276. Au Y., Davison T., Ahmad E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. № 12. Article No. 122506. https://doi.org/10.1063/1.3571444
  277. Schlömann E. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. № 1. P. 159. https://doi.org/10.1063/1.1713058
  278. Träger N., Gruszecki P., Lisiecki F. et al. // Nanoscale. 2020. V. 12. № 33. P. 17238. https://doi.org/10.1039/D0NR02132F
  279. Gieniusz R., Gruszecki P., Krawczyk M. et al. // Scientific Reports. 2017. V. 7. Article No. 8771. https://doi.org/10.1038/s41598-017-06531-2
  280. Дудко Г.М., Кожевников А.В., Сахаров В.К. и др. // Изв. Саратов. ун-та. Новая Серия. Сер. Физика. 2018. Т. 18. № 2. С. 92. https://doi.org/10.18500/1817-3020-2018-18-2-92-102
  281. Yu H., d’Allivy Kelly O., Cros V. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Article No. 11255. https://doi.org/10.1038/ncomms11255
  282. Chen J., Yu T., Liu C. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. № 10. Article No. 104427. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.104427
  283. Heimbach F., Stückler T., Yu H. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 29. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.09.062
  284. Che P., Baumgaert K., Kúkol’ová A. et al. // Nature Commun. 2020. V. 11. Article No. 1445. https://doi.org/10.1038/s41467-020-15265-1
  285. Eshbach J.R. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. № 4. P. 1298. https://doi.org/10.1063/1.1729481
  286. Tемирязев А.Г., Тихомирова М.П. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 11. С. 910.
  287. Qin H., Hämäläinen S. J., van Dijken S. // Scientific Reports. 2018. V. 8. Article No. 5755. https://doi.org/10.1038/s41598-018-23933-y
  288. Klingler S., Amin V., Geprägs S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 120. № 12. Article No. 127201. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.127201
  289. Filimonov Yu.A., Kazakov G.T., Visotsky S.L. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 1994. V. 131. № 1–2. P. 235. https://doi.org/10.1016/0304-8853(94)90034-5
  290. Gräfe J., Decker M., Keskinbora K. et al. // arxiv.org/pdf/1707.03664.
  291. Toedt J.-N., Mundowski M., Heltmann D. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 33169. https://doi.org/10.1039/srep33169.
  292. Whitehead N.J., Horsley S.A.R., Philbin T.G., Kruglyak V.V. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 113. № 21. Article No. 212404. https://doi.org/10.1063/1.5049470
  293. Locatelli N., Cros V., Grollier J. // Nature Mater. 2014. V. 13. P. 11. https://doi.org/10.1038/NMAT3823
  294. Chen T., Dumas R.K., Eklund A. et al. // Proc. IEEE. 2016. V. 104. № 10. P. 1919. https://doi.org/10.1109/JPROC.2016.2554518
  295. Ryu J., Lee S., Lee K.‐J., Park B.‐G. // Advanced Mater. 2020. Article No. 1907148. https://doi.org/10.1002/adma.201907148
  296. Slonczewski J.C. // J. Magn. Magn. Mater. 1996. V. 159. № 1–2. P. L1. https://doi.org/10.1016/0304-8853(96)00062-5
  297. Berger L. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. № 13. P. 9353. 54 (1996) 9353–9358. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.54.9353
  298. Demidov V.E., Urazhdin S., Demokritov S.O. // Nature Mater. 2010. V. 9. P. 984. https://doi.org/10.1038/nmat2882
  299. Madami M., Bonetti S., Consolo G. et al. // Nature Nanotechnol. 2011. V. 6. P. 635. https://doi.org/10.1038/nnano.2011.140
  300. Demidov V.E., Urazhdin S., Liu R. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Article No. 10446. https://doi.org/10.1038/ncomms10446
  301. Дьяконов М.И., Перель В.И. // Письма в ЖЭТФ. 1971. Т. 13. № 4. С. 206.
  302. Hirsch J.E. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. № 9. P. 1834. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.83.1834
  303. Hoffmann A. // IEEE Trans. 2013. V. MAG-49. № 10. P. 5172. https://doi.org/10.1109/TMAG.2013.2262947
  304. Liu R.H., Lim W.L., Urazhdin S. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 110. № 14. Article No. 147601. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.110.147601
  305. Demidov V.E., Ulrichs H., Gurevich S.V. et al. // Nature Commun. 2014. V. 5. Article No. 3179. https://doi.org/10.1038/ncomms4179
  306. Ando K., Takahashi S., Harii K. et al. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 101. № 3. Article No. 036601. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.101.036601
  307. Kajiwara Y., Harii K., Takahashi S. et al. // Nature. 2010. V. 464. № 7286. P. 262. https://doi.org/10.1038/nature08876
  308. Liu L., Pai C.-F., Li Y. et al. // Science. 2012. V. 336. № 6081. P. 555. https://doi.org/10.1126/science.1218197
  309. Li Y., Saglam H., Zhang Z. et al. // R. Phys. Rev. Appl. 2019. V. 11. № 3. Article No. 034047. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.11.034047
  310. Evelt M., Soumah L., Rinkevich A.B. et al. // Phys. Rev. Appl. 2018. V. 10. № 4. Article No. 041002. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.10.041002
  311. Dürrenfeld P., Awad A.A., Houshang A. et al. // Nanoscale. 2017. V. 9. № 3. P. 1285. https://doi.org/10.1039/c6nr07903b
  312. Zahedinejad M., Awad A.A., Muralidhar S. // Nature Nanotechnol. 2020. V. 15. № 1. P. 47. https://doi.org/10.1038/s41565-019-0593-9
  313. Demidov V.E., Urazhdin S., Zholud A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 17. Article No. 172410. https://doi.org/10.1063/1.4901027]
  314. Divinskiy B., Demidov V.E., Urazhdin S. et al. // Advanced Mater. 2018. V. 30. Article No. 1802837. https://doi.org/10.1002/adma.201802837
  315. Evelt M., Safranski C., Aldosary M. et al. // Scientific Reports. 2018. V. 8. Artile No. 1269. https://doi.org/10.1038/s41598-018-19606-5
  316. Jäckl M., Belotelov V.I., Akimov I.A. et al. // Phys. Rev. X. 2017. V. 7. № 2. Article No. 021009. https://doi.org/10.1103/PhysRevX.7.021009
  317. Chernov A.I., Kozhaev M.A., Savochkin I.V. et al. // Opt. Lett. 2017. V. 42. № 2. P. 279. https://doi.org/10.1364/ol.42.000279
  318. Savochkin I.V., Jäckl M., Belotelov V.I. et al. // Scientific Reports. 2017. V. 7. Article No. 5668. https://doi.org/10.1038/s41598–017–05742-x
  319. Muralidhar S., Awad A.A., Alemán A. et al. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. № 22. Article No. 224423. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.224423
  320. Казаков Г.Т., Котелянский И.М., Маряхин А.В. и др. // РЭ. 2004. Т. 49. № 5. С. 568.
  321. Albisetti E., Tacchi S., Silvani R. et al. // Advanced Mater. 2020. V. 32. № 9. Article No. 1906439. https://doi.org/10.1002/adma.201906439
  322. Seki S., Garst M., Waizner J. et al. // Nature Commun. 2020. V. 11. Article No. 256. https://doi.org/10.1038/s41467-019-14095-0
  323. Uchida K., Adachi H., Kikuchi D. et al. // Nature Commun. 2015. V. 6. Article No. 5910. https://doi.org/10.1038/ncomms6910
  324. Kolodny S., Yudin D., Iorsh I. // Nanoscale. 2019. V. 11. № 4. P. 2003. https://doi.org/10.1039/C8NR09989H
  325. Garhwal A., Ray K., Arumona A.E. et al. // Optical and Quantum Electronics. 2020. V. 52. Article No. 241. https://doi.org/10.1007/s11082-020-02368-8
  326. Maksymov I.S., Kostylev M. // Phys. E: Low-dim. Syst. and Nanostruct. 69. 2015. P. 253. https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.12.027
  327. Wintz S., Tiberkevich V., Weigand M. et al. // Nature Nanotechnol. 2016. V. 11. № 11. P. 948. https://doi.org/10.1038/nnano.2016.117
  328. Sluka V., Schneider T., Gallardo R.A. et al. // Nature Nanotechnol. 2019. V. 14. № 4. P. 328. https://doi.org/10.1038/s41565-019-0383-4
  329. Медников А.М., Попков А.Ф., Анисимкин В.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 33. № 12. С. 646. http://www.jetpletters.ac.ru/ps/1512/article_23104.shtml
  330. Попков А.Ф. // Микроэлектроника. 1981. Т. 10. № 5. С. 446.
  331. Медников A.M., Никитов С.А., Попков А.Ф. // ФТТ. 1982. Т. 24. № 10. С. 3008.
  332. Kryshtal R.G., Medved A.V. // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 395. P. 180. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.07.086
  333. Kryshtal R.G., Medved A.V. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 426. P. 666. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.10.148
  334. Kryshtal R.G., Medved A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. № 49. Article No. 495004. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa93ba
  335. Kryshtal R., Medved A. // Ultrasonics. 2019. V. 94. P. 60. https://doi.org/10.1016/j.ultras.2018.12.003
  336. Vogel M., Chumak A.V., Waller E.H. et al. // Nature Phys. 2015. V. 11. № 6. P. 487. https://doi.org/10.1038/nphys3325
  337. Chang C.L., Mieszczak S., Zelent M. еt al. // Phys.Rev. Appl. 2018. V. 10. № 6. Article No. 064051. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.10.064051
  338. Мясоедов А.Н., Фетисов Ю.К. // ЖТФ. 1989. Т. 59. № 6. С. 133.
  339. Попков А.Ф., Фетисов Ю.К., Островский Н.В. // ЖТФ. 1998. Т. 68. № 5. С. 105.
  340. Fetisov Y.K., Ostrovskaya N.V., Popkov A.F. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 8. P. 5730. https://doi.org/10.1063/1.362233
  341. Chumak A.V., Neumann T., Serga A.A. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. № 20. Article No. 205005. https://doi.org/10.1088/0022-3727/42/20/205005
  342. Chumak A.V., Tiberkevich V.S., Karenowska A.D. et al. // Nature Commun. V. 1. № 9. Article No. 141. https://doi.org/10.1038/ncomms1142
  343. Karenowska A.D., Gregg J.F., Tiberkevich V.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 108. № 1. Article No. 015505. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.015505
  344. Nikitin A.A., Ustinov A.B., Semenov A.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. № 10. Article No. 102405. https://doi.org/10.1063/1.4914506
  345. Grundler D. // Nature Phys. 11, 438–441 (2015). https://doi.org/10.1038/nphys3349
  346. Topp J., Heitmann D., Kostylev M. P., Grundler D. // Phys. Review Letters 104, 207205 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.104.207205
  347. Ding J., Kostylev M., Adeyeye A.O. // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. № 5. Article No. 054425. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.054425
  348. Ding J., Adeyeye A.O. // Advanced Functional Mater. 2013. V. 23. № 13. P. 1684. https://doi.org/10.1002/adfm.201201432
  349. Livesey K.L., Ding J., Anderson N.R. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. № 6. Article No. 064424. (2013). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.064424
  350. Mruczkiewicz M., Krawczyk M., Sakharov V.K. et al. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. № 9. Article No. 093908. https://doi.org/10.1063/1.4793085
  351. Huber R., Krawczyk M., Schwarze T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. № 1. Article No. 012403. https://doi.org/10.1063/1.4773522
  352. Haldar A., Kumar D., Adeyeye A.O. // Nature Nanotechnol. 2016. V. 11. № 5. P. 437. https://doi.org/10.1038/NNANO.2015.332
  353. Klimov A., Tiercelin N., Dusch Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 110. № 22. Article No. 222401. https://doi.org/10.1063/1.4983717
  354. Fetisov Y.K., Srinivasan G. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. № 14. Article No. 143503. https://doi.org/10.1063/1.2191950
  355. Srinivasan G., Tatarenko A.S., Fetisov Y.K. et al. // Mater. Research Soc. Symp. Proc. 2006. V. 966. Article No. 1401. https://doi.org/10.1557/proc-0966-t14-01
  356. Ustinov A.B., Srinivasan G., Kalinikos B.A. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. № 3. Article No. 031913. https://doi.org/10.1063/1.2432953
  357. Zavislyak I.V., Popov M.A., Sreenivasulu G., Srinivasan G. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. № 22. Article No. 222407. https://doi.org/10.1063/1.4809580
  358. Устинов А.Б., Фетисов Ю.К., Лебедев С.В., Srinivasan G. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. № 4. С. 44. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/12317
  359. Petrov V., Bichurin M., Saplev A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. № 22. Article No. 224103. https://doi.org/10.1063/1.4985069
  360. Shastry S., Srinivasan G., Bichurin M.I. et al. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. № 6. Article No. 064416. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.064416
  361. Lou B.J., Liu M., Reed D. et al. // Advanced Mater. 2009. V. 21. № 46. P. 4711. https://doi.org/10.1002/adma.200901131
  362. Садовников А.В., Грачев А.А., Бегинин Е.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ, 105:6, 347 (2017).
  363. Устинов А.Б., Колков П.И., Никитин А.А. и др. // ЖТФ, 81(6), 75 (2011). http://journals.ioffe.ru/articles/10334
  364. Никитин А.А., Устинов А.Б., Семенов А.А., Калиникос Б.А. // Письма в ЖТФ, 40(7), 1 (2014).http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/27350
  365. Lee K.-S., Kim S.-K. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. № 5. Article No. 053909.
  366. Klingler S., Pirro P., Brächer T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. № 21. Article No. 212406. https://doi.org/10.1063/1.4921850
  367. Klingler S., Pirro P., Brächer T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 15. Article No. 152410 https://doi.org/10.1063/1.4898042
  368. Brächer T., Heussner F., Pirro P. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 28235. https://doi.org/10.1038/srep3823560
  369. Khitun A., Wang K.L. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. № 3. Article No. 034306. https://doi.org/10.1063/1.3609062
  370. Alzate J.G., Upadhyaya P., Lewis M. et al. // Proc. 2012 IEEE/ACM Int. Symp. on Nanoscale Architectures (NANOARCH ‘12). Amsterdam. 04–06 Jul. N.Y.: IEEE, 2012 P. 196. https://doi.org/10.1145/2765491.2765526
  371. Khitun A., Nikonov D.E., Wang K.L. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. № 12. Article No. 123909. https://doi.org/10.1063/1.3267152
  372. Khitun A. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. № 5. Article No. 054307. https://doi.org/10.1063/1.3689011
  373. Khitun A., Wang K.L. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. № 3. Article No. 034306. https://doi.org/10.1063/1.3609062
  374. Khitun A., Bao M., Wang K.L. // IEEE Trans. 2008. V. MAG-44. № 9. P. 2141. https://doi.org/10.1109/tmag.2008.2000812
  375. Sadovnikov A.V., Odintsov S.A., Sheshukova S.E. et al. // IEEE Magnetics Lett. 2018. V. 9. Article No. 3707105. https://doi.org/10.1109/LMAG.2018.2874349
  376. Садовников А.В., Одинцов А.В., Бегинин Е.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 107. № 1. С. 29. https://doi.org/10.7868/S0370274X1801006X
  377. Дудко Г.М., Кожевников А.В., Сахаров В.К. и др. // ЖТФ 2022 Т. 92. № 8. С. 1151. https://doi.org/10.21883/JTF.2022.08.52776.79-22
  378. Balynskiy M., Chiang H., Gutierrez D. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. № 14. Article No. 144501. https://doi.org/10.1063/1.5011772
  379. Khitun A. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. № 16. Article No. 164503. https://doi.org/10.1063/1.4802656
  380. Gertz F., Kozhevnikov A., Filimonov Y., Khitun A. // IEEE Magnetics Lett. 2016. V. 7. Article No. 3200204. https://doi.org/10.1109/LMAG.2015.2501278
  381. Balynsky M., Gutierrez D., Chiang H. et al. // Scientific Reports. 2017. V. 7. Article No. 11539. https://doi.org/10.1038/s41598-017-11881-y
  382. Torrejon J., Riou M., Araujo F.A. et al. // Nature. 2017. V. 547. № 7664. P. 428. https://doi.org/10.1038/nature23011
  383. Sengupta A., Yogendra K., Roy K. // Proc. 2016 IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems (ISCAS) Montreal. 22–25 May. N.Y.: IEEE, 2016. P. 922.
  384. Pan C., Naeemi A. // IEEE J. Exploratory Sol.-State Computational Devices and Circuits. 2017. V. 3. P. 101. https://doi.org/10.1109/JXCDC.2018.2793536
  385. Fukami S., Ohno H. // J. Appl. Phys.2018. V. 124. № 15. Article No. 151904. https://doi.org/10.1063/1.5042317
  386. Nakane R., Tanaka G., Hirose A. // IEEE Access. 2018. V. 6. P. 4462. https://doi.org/10.1109/access.2018.2794584
  387. Watt S., Kostylev M. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 13. № 3. Article No. 034057. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.13.034057
  388. Vogt K., Fradin F., Pearson J. et al. // Nature Commun. 2014. V. 5. Article No. 3727. https://doi.org/10.1038/ncomms4727
  389. Klingler S., Pirro P., Brächer T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. № 21. Article No. 212406. https://doi.org/10.1063/1.4921850
  390. Klingler S., Pirro P., Brächer T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 15. Article No. 152410. https://doi.org/10.1063/1.4898042
  391. Brächer T., Heussner F., Pirro P. et al. // Scientific Reports. 2016. V. 6. Article No. 28235. https://doi.org/10.1038/srep38235
  392. Haldar A., Tian C., Adeyeye A.O. // Science Advances. 2017. V. 3. № 7. Article No. e1700638. https://doi.org/10.1126/sciadv.1700638
  393. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Казаков Г.Т., Тихонов В.В. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. № 2. С. 97.
  394. Зильберман П.Е., Казаков Г.Т., Куликов В.М., Тихонов В.В. // РЭ. 1988. Т. 30. № 2. С. 347.
  395. Nikolaev K.O., Lake S.R., Schmidt G. et al. // Nanowaveguides. Nano Lett. 23, 18, 8719–8724 (2023).
  396. Flajšman L., Wagner K., Vaňatka M. et al. // Phys. Rev. B101. 2020. V. 101. № 1. Article No. 014436. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.014436

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Примеры волноведущих структур. Цифрами 1 и 2 на рисунках показаны входные и выходные преобразователи СВ. Выбранное направления внешнего поля Н на рисунках, отвечает распространению поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ) Дэймона-Эшбаха [160]. Исключение составляет рис. (д), где вдоль касательного к пленке поля Н распространяются обратные объемные магнитостатические волны (ООМСВ) [78]. Пример структур, поддерживающих распространение прямых объемных магнитостатических волн (ПОМСВ) в пленках, намагниченных перпендикулярно поверхности, на рисунке не показан. (а) – линия задержки на ПМСВ [50]. Пленка CoFeB толщиной d = 20 нм, ширина волновода w = 5 мкм, длина волновода 12 мкм, медные U-образные антенны шириной 0.12 мкм, длиной 10 мкм нанесены на поверхность с использованием электронной литографии, магнетронного распыления и lift-off процесса; (б) пример связанных волноводов на основе магнонных кристаллов из пленки ЖИГ, сформированных на подложке ГГГ методом лазерной абляции и химического травления [55]. Распределение интенсивности ПМСВ в плоскости структуры анализируется по рассеянию сфокусированного лазерного излучения на спиновых волнах методом Мандельштама-Бриллюэна (МБРС); (в) управляемый током магнонный кристалл на основе пленки ЖИГ модулированной ширины [86]. При пропускании тока I1,2 через проводники А и/или В меняется эффективная модуляция ширины волновода, определяемая параметрами 2Am и Tm, что сопровождается изменениями в спектре магнонного кристалла; (г) волновод переменной ширины [61]. Изменение модового состава волновода и длины волны ПМСВ при распространении вдоль оси  анализируется с помощью метода МБРС; (д) фокусировка ООМСВ копланарным преобразователем [78]. Цветовая шкала иллюстрирует относительную интенсивность ООМСВ в плоскости пленки; (е) слоистая структура ЖИГ(d = 14.5 мкм)/Pt(9 нм) [117]. Цифрами 3 и 4 показаны медные контакты к пленке Pt, используемые для измерения генерируемой в платине ЭДС при распространении ПМСВ в структуре.

Скачать (393KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Структуры ЖИГ(1000 нм)/SiO2(100 нм)/Si [208]. (а) – схема макета линии задержки на ПМСВ, (б) попречное сечение структуры, (в) копланарные преобразователи для возбуждения и приема ПМСВ, (г) атомно-силовое изображение участка поверхности пленки, где в нижней части скана виден кратероподобный дефект, (д) – спектры передачи ПМСВ в «прямом» (S21(f)) и «обратном» (S12(f)) направлениях распространения ПМСВ, (е) сравнение закона дисперсии ПМСВ с расчетом в модели однослойной пленки (1) и модели двух обменно-связанных пленок (2) ЖИГ.

Скачать (239KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Структура ЖИГ/AlOx /GaAs [209]. (а) схематическое изображение структуры, методики эксперимента по выявлению индуцированной светом «невзаимности» распространения мод AS и SS и отвечающее им распределение полей по толщине структуры. На вставках показаны изображения поперечного сечения и участка поверхности структуры. (б) Иллюстрация соответствия результатов измерения (точки) и расчета (линии) спектра спиновых волн структуры. Треугольниками показаны результаты измерения в присутствии инфракрасного излучения. (в) Вызванный инфракрасным излучением участка спектра, отвечающего модам AS и SS.

Скачать (325KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Схема интерферометра [223] на основе ПМСВ и волноводов CoFeB(20 нм)/Ta(5 нм)/Ru(10 нм)/ Ta(5 нм), шириной 20 мкм, длиной 100 мкм полученных распылением, фотолитографией и ионным травлением на подложке SiO2 /Si. Входной 1 и выходной 2 U-образные преобразователи Ti(4 нм)/Au(100 нм) шириной 4 мкм нанесены на изолирующую прослойку Al2O3, толщиной 100 нм с использованием оптической литографии электронно-лучевого испарения и lift-off процесса. Управление фазой ПМСВ осуществлялось за счет пропускания постоянного тока через волноводы.

Скачать (126KB)
Метаданные
6. Рис. 5. Законы дисперсии ПМСВ (пунктирные линии) и ООМСВ (сплошные линии) в пленках пермаллоя (1), ЖИГ (2) и Ga, Sc-замещенного ЖИГ (3) толщиной d = 100 нм и поле Н = 500 Э и параметрами, указанными в табл. 2. На вставке область дисперсии для СВ с λ > 60 нм.

Скачать (106KB)
Метаданные
7. Рис. 6. Примеры волноведущих структур СВ. (а) Волновод из пленки пермаллоя, сформированный с помощью электронно-лучевой литографии и ионного травления, с расположенными сверху антеннами спиновых волн [222]; (б–ж) структуры на основе эпитаксиальных пленок ЖИГ. (б) и (в) структуры, сформированные лазерной абляцией [249, 250], (г) Ψ-образная структура, полученная микропескоструной абляцией [251], (д) Ψ-образная волноведущая структура сформирована методами фотолитографии и химического травления, ширина волноводов 1.5 мм [252]; (е) магнонная решетка 2×2 из волноводов шириной 10 мкм, длиной 100 мкм и толщиной 1 мкм, сформированная с использованием фотолитографии и ионного травления [253]; (ж) изображения волноводов шириной 1 мкм и 50 нм, сформированных с помощью электронно-лучевой литографии и ионного травления из пленки толщиной d ≈ 39 нм [255].

Скачать (235KB)
Метаданные
8. Рис. 7. Формирование микроструктур на поверхности ЖИГ с магнетронного распыления и взрывной фотолитографии [170, 171]. Толщина пленки ЖИГ 75 нм. (а) основные этапы процесса. (б) и (в) – примеры сформированных микроструктур. Метка на рис. (б) отвечает 2 мкм, на рис. (в) – 10 мкм и 20 мкм для правой и левой колонок, соответственно. (г) – спектр рентгеновской дифракции структуры на рис. (б) [171].

Скачать (179KB)
Метаданные
9. Рис. 8. Изображение 3D магнонных структур, полученных ионно-лучевым осаждением пленки ЖИГ на профилированные подложки ГГГ [258]. Рисунки (a), (б), (в) отвечают однослойной пленке ЖИГ толщиной 155 нм. Рисунок (в) увеличенное изображение области ступеньки, выделенной кружком на рисунке (а). Рисунок (г) поперечное сечение 12-слойной структуры ЖИГ(4 нм)/ГГГ(12 нм) [259].

Скачать (156KB)
Метаданные
10. Рис. 9. Виды используемых антенн для изучения распространения спиновых волн в волноводах. [226]: (I) кривая 1 – зависимость от волнового числа k эффективности возбуждения ПМСВ золотыми нанополосковыми антеннами (на вставке к рисунку (1) обозначены как NSL1,2) шириной w = 128 нм, толщиной 100 нм, сформированными с использованием электронно-лучевой литографии, магнетронного распыления и lift-off процесса на поверхности волновода CFMS (Co2Mn0.6Fe0.4Si) толщиной 50 нм и покрытого изолирующим слоем Al2O3(15 нм). 2 – закон дисперсии ПМСВ в пленке CFMS при Н = 100 Э. Заливкой отмечена возбуждаемая полоса частот, которой отвечает интервал волновых чисел Δk; [226]: (II) Зависимость эффективности возбуждения ПМСВ преобразователем на основе копланарного волновода (CPW) с шириной сигнальной линии 180 нм и земляных линий 200 нм. [225] (III) – золотые антенны толщиной 110 нм меандрового типа на основе копланарных волноводов на поверхности микроволновода из Py шириной 2 мкм и толщиной 190 нм. Из рис. А, Б, В видно, что положение максимума эффективности возбуждения СВ сдвигается в коротковолновую область при уменьшении ширины элементов периода и роста числа периодов.

Скачать (251KB)
Метаданные
11. Рис. 10. [284] (а) Схема эксперимента с пленкой ЖИГ (толщина 36 нм или 100 нм) и преобразователи на магнитных копланарных волноводах (mCPW1 и mCPW2). Расстояние между центрами mCPW составляет 35 мкм. Угол θ отвечает направлению магнитного поля Н относительно оси mCPW. (б) Спектры передачи S21(f) при θ ≈ 88° и магнитном поле μ0Н = 0.09 Т в макетах с немагнитными (1) и магнитными (2) антеннами. (в) изображение поперечного сечения mCPW Fe/Ti(5 нм)/Au(100 нм). Сравнивались антенны с тремя значениями толщины слоя Fe 155 нм, 95 нм и 17 нм. Ширина сигнальной и земляной линий составляла w = 2.1 мкм, ширина воздушного зазора g = 1.4 мкм, длина антенн ≈125 мкм. (г) Зависимость от поля Н максимального измеренного волнового числа k и минимальной длины СВ λ для mCPW с различной толщиной магнитного слоя Fe.

Скачать (239KB)
Метаданные
12. Рис. 11. Преобразователи на основе копланарных волноводов (CPW) с изменяющейся геометрией. [267] копланарный преобразователь с изменяющейся шириной сигнальной и земляных линий (а) и результат моделирования возбуждения ПОМСВ на частоте, при которой эффективность возбуждения «узкой» частью CPW максимальна и минимальна для остальной части CPW (б). [268] эксперимент по исследованию дифракции СВ при возбуждении CPW с изменяющейся геометрией (в) и (г). На рис. (д) кривыми kI и kII показаны закон дисперсии и эффективности возбуждения СВ участками I и II CPW. Кривая f(k) отвечает закону дисперсии. (е) – частотные зависимости коэффициента отражения и прохождения СВ в макете с расстоянием между антеннами D = 12 мкм.

Скачать (223KB)
Метаданные
13. Рис. 12. Возбуждение СВ в микроволноводе Ру шириной 300 нм и толщиной 20 нм при нелокальной инжекции спинового тока в структуре CoFe(8 нм)/Cu(20 нм)/Py(5 нм) [300]. Геометрия структуры (а) и схема эксперимента (б). Распределение интенсивности рассеянного света в плоскости структуры (в) и по волноводу (г). (д) – зависимость от инжектируемого тока I длины свободного пробега СВ в волноводе ξ и коэффициент согласования волновода с накачкой из области точечного контакта.

Скачать (321KB)
Метаданные
14. Рис. 13. [311] Спин-Холл нано осциллятор с перетяжкой ≈ 20 нм в форме бабочки. (а) исследуемая структура с указанием толщины слоев и система координат, связанная со структурой. Углы θ и φ характеризуют ориентацию магнитного поля. (б) изображение области перетяжки, полученное сканирующим электронным микроскопом. Рисунки (в)–(д) двумерные решетки SHNO [312]. Зависимости от числа спин-Холл осцилляторов N2 ширины линии генератора (в), выходной мощности (г) и величины критического тока (д). На вставках к рисункам (в) и (д) микрофотографии решеток NxN спин-Холл наноосцилляторов на основе слоиcтой структуры Pt(5 нм)/Hf(0.5 нм)/ Py(4.5 нм) [312]. На вставке к рисунку (в) показаны период решетки (р) и расстояние между отверстиями (w) в решетке. Здесь же показаны стрелкой направление тока I и магнитного поля Н. Кривые на рисунках отвечают решеткам с различными значениями параметров w и p, указанных на рисунках (в) и (г).

Скачать (274KB)
Метаданные
15. Рис. 14. Возбуждение спиновых волн SHNO в нановолноводах. (a) [314] Схема эксперимента и волноведущая наноструктура Py(15 нм)/Pt(5 нм) шириной 180 нм и длиной 4 μm. На вставке изображение участка волновода с канавкой. СВ генерировались в области канавки глубиной 10 нм и шириной 200 нм. Рисунки (б1–б4) [315]. Генерация СВ в нановолноводе ЖИГ(30 нм)/Pt(5 нм) шириной 200 нм: (б1) схема эксперимента и микрофотография структуры; (б2) и (б3) зависимость спектра генерируемого сигнала от величины тока в пленке Pt; (б4) рассчитанный и измеренный спектры СВ нановолновода. На вставке показан характер распределения краевой (ЕМ) и объемной (ВМ) мод волновода.

Скачать (350KB)
Метаданные
16. Рис. 15. Изображение структур, полученное с помощью электронного сканирующего микроскопа структуры с возбуждающей антенной за счет спин-поляризованного тока (a) и индукционной антенны (б). Прием сигнала осуществляется индукционной антенной. (в) схематическое изображение структуры с возбуждением спин-поляризованным током [240].

Скачать (123KB)
Метаданные
17. Рис. 16. (а) схематичное изображение структуры и схемы эксперимента по стрикционному возбуждению спиновых волн в структуре с контролируемой напряжением магнитной анизотропией [107]; (б) схематично показаны ориентация намагниченности (Ms), направление поля ПМА (Нр) и его СВЧ составляющей hrf; (в) зависимость эффективность преобразователя от волнового числа ПМСВ; (г) и (д) – изображения схем возбуждения ПМСВ с помощью СВЧ электрического и магнитного полей, соответственно; (е) экспериментальные результаты измерения зависимости амплитуды ПМСВ от пройденного расстояния x мкм при двух значениях магнитного поля; (ж) результаты моделирования амплитуды бегущей ПМСВ при возбуждении преобразователями (д) и (e) [107].

Скачать (266KB)
Метаданные
18. Рис. 17. [352] Распространение СВ в волноводах (а, б, г, ж) на основе решетки из пермаллоевых ромбовидных наночастиц (см. вставку к рис. (в)). СВ возбуждались антенной шириной 1 мкм. Частотные зависимости амплитуды выходного сигнала (в, е, и) изучались методом МБРС на участке волновода выделенным пятном. В колонке I на рис. (в) цифрами 1 и 2, соответственно, приведены частотные зависимости спектра МБРС для волновода из нанчастиц (а) и составного из сплошной пленки и решетки (б). В колонке II на рисунке (д) двумерная карта распределения интенсивности рассеянного света в области изгиба волновода, выделенного светлой линией на рисунке (г). Колонка III (ж) решетка с «дефектом». На рис. (з) и (и), соответственно, приведены магнитно-силовые избражения волноводов с ферромагнитным и антферромагнитным распределением намагниченности на дефекте. Цифрами «1» и «0» на рис. (к) показаны амплитуды МБРС для ферромагнитного (3) и антиферромагнитного (и) направления намагниченности «дефекта».

Скачать (259KB)
Метаданные
19. Рис. 18. Логический ключ с функцией большинства, реализованного на интерференции ПМСВ в пленке CoFeB [50]: (а) схематичный вид линии задержки (ЛЗ) ПМСВ на основе волновода CoFeB шириной w ≈ 5 мкм. Входные 𝐼1,2,3 антенны в виде несимметричных копланарных U-образных преобразователей и выходная антенна (О) в виде одиночной микрополоски. Направление распространения ПМСВ показано волнистыми линиями; (б) схематично поперечное сечение структуры, где сверху вниз антенна TiAu далее SiNx(40 нм)/Ta(3 нм)/CoFeB(30 нм)/Ta(3 нм)/SiO2(300 нм)/Si(100); (в) фотография макета ЛЗ, вертикальные светлые линии обозначают ширину пленки CoFeB; (г) экспериментальный макет с подводящими линиями к антеннам и контактными посадками для посадки микрозондов; (д) таблица истинности ключа большинства и результаты эксперимента по измерению частотной зависимости фазы выходного (O) сигнала ΔIm𝑆1+2+3,4 в зависимости от фазы сигнала на антеннах 𝐼1,2,3. Для полосы частот 200 МГц при поле Н = 500 Э на выходном преобразователе наблюдается четкое разделения характера суперпозиции сигналов ПМСВ «сильного» (S) «слабого» (W) большинства.

Скачать (125KB)
Метаданные
20. Рис. 19. Макеты СВЧ-устройств на спиновых волн в микроструктурах (a) спин-волновой мультиплексор [351] на Y-образных волноводах пермаллоя шириной 2 мкм, толщиной 30 нм и копланарных антеннах с шириной линии и зазора 3 мкм; (б) делитель с пространственным разрешением по частоте, использующий эффекты анизотропного распространения СВ на основе пленки CoFeB [348]; (в) направленный ответвитель [60] на основе волноводов ЖИГ шириной 350 нм, толщиной 85 нм и U-образных антенн шириной 500 нм и зазором 1 мкм; (г) прототип голографической памяти решетке 2х2 из ЖИГ-волноводов длиной 3 мм, шириной 350 мкм, толщиной 3.5 мкм и микрополосковых антеннах шириной 30 мкм [133]; (д) магнетометр на основе интерферометра СВ типа Маха-Цендера из двух пересекающихся ортогональных волноводов СВ шириной 350 мкм и длиной 3 мм из пленки ЖИГ толщиной 3.5 мкм [352].

Скачать (333KB)
Метаданные
21. Рис. 20. Ломанными линиями 1 и 2, соотвественно, показаны энергетические затраты на операцию логических схем на спиновых волна (SWD) и на основе CMOS (10 нм) технологий. Расположение микросхем снизу вверх отражает рост размера микросхем. В таблице дана расшифровка аббривиатур. Оценка энергоэффективности SWD микросхем проводилась в приближении возбуждения спиновых стрикционными преобразователями, аналогичных [230, 107].

Скачать (248KB)
Метаданные
22. Рис. 21. Макеты СВЧ устройств на спиновых волн в микроструктурах (a) спин-волновой мультиплексор [388] на Y-образных волноводах пермаллоя шириной 2 мкм, толщиной 30 нм и копланарных антеннах с шириной линии и зазора 3 мкм; (б) делитель с пространственным разрешением по частоте , использующий эффекты анизотропного распространения СВ на основе пленки CoFeB [389]; (в) направленный ответвитель [60] на основе волноводов ЖИГ шириной 350 нм, толщиной 85 нм и U-образных антенн шириной 500 нм и зазором 1 мкм; (г) прототип голографической памяти решетке 2х2 из ЖИГ-волноводов длиной 3 мм, шириной 350 мкм, толщиной 3.5 мкм и микрополосковых антеннах шириной 30 мкм [133]; (д) магнетометр на основе интерферометра СВ типа Маха-Цендера из двух пересекающихся ортогональных волноводов СВ шириной 350 мкм и длиной 3 мм из пленки ЖИГ толщиной 3.5 мкм [381].

Скачать (316KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2025