Анизотропия и микроскопика ионного транспорта в кристаллах Li2B4O7
- Авторы: Иванов-Шиц А.К.1
-
Учреждения:
- Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия
- Выпуск: Том 70, № 5 (2025)
- Страницы: 790-799
- Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://rjsvd.com/0023-4761/article/view/693871
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476125050097
- EDN: https://elibrary.ru/vfukfo
- ID: 693871
Цитировать
Полный текст



Аннотация
Методом молекулярной динамики исследованы особенности ионного переноса в кристаллах тетрабората лития Li2B4O7 с вакансионным разупорядочением. Показано, что ионный транспорт, обусловленный переносом ионов лития, является анизотропным. Наибольшие значения коэффициентов диффузии наблюдаются вдоль оси с и составляют DLi ~ 1 × 10–6 см2/с при температурах, близких к температуре плавления. Показано, что перескок ионов лития осуществляется на расстояния от 1.5 до 3.5 Å по вакансионному механизму, длина коррелированных перескоков может достигать 6 Å.
Об авторах
А. К. Иванов-Шиц
Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия
Email: alexey.k.ivanov@gmail.com
Москва, Россия
Список литературы
- Bhalla A.S., Cross L.E., Whatmore R.W. // Jpn J. Appl. Phys. 1985. Pt 2. V. 24. P. 727. https://doi.org/10.7567/JJAPS.24S2.727
- Shiosaki T., Adachi M., Kobayashi H. et al. // Jpn J. Appl. Phys. 1985. V. 24. Suppl. 24-1. P. 25.
- Filipiak J., Majchrowski A., Lukasiewicz T. // Arch. Acoust. 1994. V. 19. P. 131.
- Adachi M., Nakazawa K., Kawabata A. // Ferroelectrics. 1997. V. 195. P. 1236. https://doi.org/10.1080/00150199708260502
- Ketsman I., Wooten D., Xiao J. et al. // Phys. Lett. A. 2010. V. 374. P. 891. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2009.12.012
- Aliev A.E., Akramov A.Sh., Valetov R.R. et al. // Solid State Ionics. 1991. V. 46. P. 197.
- Kushnir O.S., Burak Y.V., Bevz A.A. et al. // Opt. Spectrosc. 2000. V. 88. P. 765. https://doi.org/10.1134/1.626874
- Mehrabi M., Zahedifar M., Hasanloo S. et al. // Rad. Phys. Chem. 2022. V. 194. P. 110057. https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2022.110057
- Balhara A., Gupta S.K., Modak B. et al. // Inorgan. Chem. 2023. V. 62. P. 20258. https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.3c03202
- Mehrabi M., Zahedifar M., Hasanloo S. et al. // Eur. Phys. J. Plus. 2023. V. 138. P. 584. https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-023-04236-2
- Sugawara T., Komatsu R., Uda S. // Solid State Commun. 1998. V. 107. P. 233. https://doi.org/10.1016/S0038-1098(98)00190-2
- Бхар Г.Ч., Кумбхакар П., Чаудхари А.К. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. С. 341.
- Mohandoss R., Dhanuskodi S., Renganathan B. et al. // Curr. Appl. Phys. 2013. V. 13. P. 957.
- Echeverria E., McClory J., Samson L. et al. // Crystals. 2024. V. 14. P. 61. https://doi.org/10.3390/cryst14010061
- Furusawa S.-I., Tange S., Ishibashi Y. et al. // J. Phys. Soc. Jpn. 1990. V. 59. P. 2532.
- Matsuo T., Yagami T., Katsumata T. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 7264.
- Byrappa K., Rajeev V., Hanumesh V.J. et al. // J. Mater. Res. 1996. V. 11. P. 444.
- Kim J.S. // J. Phys. Soc. Jpn. 2001. V. 70. P. 3129.
- Kim C.-S., Kim D.J., Hwang Y.-H. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. № 8. Р. 4644. https://doi.org/10.1063/1.1505980
- Ризак И.М., Ризак В.М., Байса Н.Д. и др. // Кристаллография. 2003. Т. 48. С. 727.
- Akishige Y., Komatsu R. // J. Phys. Soc. Jpn. 2004. V. 73. P. 1341. https://doi.org/10.1143/JPSJ.73.1341
- Sorokin N.I., Pisarevskii Yu.V., Lomonov V.A. // Crystallography Reports. 2021. V. 66. P. 1051. https://doi.org/10.1134/S1063774521060377
- Ковальчук М.В., Благов А.Е., Куликов А.Г. и др. // Кристаллография. 2014. Т. 59. С. 862.
- Куликов А.Г., Благов А.Е., Марченков Н.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 107. С. 679.
- Куликов A.Г., Писаревский Ю.В., Благов А.Е. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. С. 671.
- Куликов А.Г., Благов А.Е., Марченков Н.В. и др. // ФТТ. 2020. Т. 62. С. 2120.
- Islam M.M., Maslyuk V.V., Bredow T. et al. // J. Phys. Chem. B. 2005. V. 109. P. 13597. https://doi.org/10.1021/jp044715q
- Islam M.M., Bredow T., Minot C. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 17518. https://doi.org/10.1021/jp061785j
- Islam M.M., Bredow T., Heitjans P. // J. Phys.: Condens. Matter. 2012. V. 24. P. 203201. https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/20/203201
- Kim S.J., Kim W.-K., Cho Y.C. et al. // Curr. Appl. Phys. 2011. V. 11. P. 649. https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.10.019
- Krog-Moe J. // Acta Cryst. B. 1968. V. 24. P. 179.
- Радаев С.Ф., Мурадян Л.А., Малахова Л.Ф. и др. // Кристаллография. 1989. Т. 34. С. 1400.
- Mathews M.D., Tyagi A.K., Moorthy P.N. // Thermochim. Acta. 1998. V. 320. P. 89.
- Adamiv V.T., Burak Ya.V., Teslyuk I.M. // J. Alloys Compd. 2009. V. 475. P. 869. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2008.08.017
- Senyshyn A., Boysen H., Niewa R. et al. // J. Phys. D. 2012. V. 45. P. 175305. https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/17/175305
- Иванов Ю.Н., Бурак Я.В., Александров К.С. // ФТТ. 1990. Т. 32. С. 3379.
- Maslyuk V.V., Bredow T., Pfnür H. // Eur. Phys. J. B. 2004. V. 41. P. 281. https://doi.org/10.1140/epjb/e2004-00318-3
- Marbeuf A., Kliava J. // J. Siberian Federal University. Mathematics and Physics. 2010. V. 3. P. 88.
- Smith W., Todorov I.T., Leslie M. // Z. Kristallogr. 2005. B. 220. S. 563. https://doi.org/10.1524/zkri.220.5.563.65076
- Сорокин Н.И., Писаревский Ю.В., Гребенев В.В. и др. // ФТТ. 2020. Т. 62. С. 386.
- Shpotyuk O., Adamiv V., Teslyuk I. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2018. V. 112. P. 8. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2017.08.025
- Wohlmuth D., Epp V., Stanje B. et al. // J. Am. Ceram. Soc. 2016. V. 99. P. 1687. https://doi.org/10.1111/jace.14165
Дополнительные файлы
