Автор туралы ақпарат
Vergeles, P. S.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 70, № 4 (2025) | ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ | Recombination-enhanced of dislocation glide in 4H-SiC and GaN under electron beam irradiation |
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 70, № 4 (2025) | ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ | Recombination-enhanced of dislocation glide in 4H-SiC and GaN under electron beam irradiation |