Неорганические материалы
ISSN 0002-337X (Print)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Ретрагированные статьи
Архив
Контакты
Подписка
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
дифференциальная сканирующая калориметрия
диэлектрическая проницаемость
ионная проводимость
карбид кремния
карбид титана
керамика
кристаллическая структура
микроструктура
микротвердость
оксид алюминия
рентгенофазовый анализ
синтез
твердофазный синтез
твердые растворы
твердый раствор
теплоемкость
теплопроводность
тонкие пленки
удельная поверхность
фазовые равновесия
фазовый состав
Текущий выпуск
Том 61, № 1-2 (2025)
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Категории
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
дифференциальная сканирующая калориметрия
диэлектрическая проницаемость
ионная проводимость
карбид кремния
карбид титана
керамика
кристаллическая структура
микроструктура
микротвердость
оксид алюминия
рентгенофазовый анализ
синтез
твердофазный синтез
твердые растворы
твердый раствор
теплоемкость
теплопроводность
тонкие пленки
удельная поверхность
фазовые равновесия
фазовый состав
Текущий выпуск
Том 61, № 1-2 (2025)
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Моисеев, А. Н.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 1-2 (2025)
Статьи
Морфология поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические параметры гетероструктур CdHgTe/CdZnTe, выращенных MOCVD-методом
TOP